본 연구는 오대산 국립공원 내 이탄습지로 알려진 소황병산늪과 질뫼늪을 대상으로 토양의 이화학적 특성을 파악하고, 두 습지의 생성 연대를 추정하기 위하여 토양시료를 채취하여 분석하였다. 소황병산늪과 질뫼늪의 토양 pH는 평균 5.5로 조사 시기 및 식물군락에 따른 유의적인 차이를 보이지 않았다. 총이온 함량은 식물군락에 따른 차이를 보이고 있지만, 각 식물 군락 내에서 조사 시기에 따른 차이를 보이지 않았다. 총이온 함량과 마찬가지로 치환성 양이온인 Na, K과 Mg 함량 또한 식물 군락에 따른 차이를 보였지만, 조사 시기에 따른 함량 차이를 보이지 않았다. 다른 양이온과는 달리 Ca 함량은 식물군락과 조사 시기에 따라 유의한 차이를 나타내었다. 유기물 함량과 총질소 함량은 식물군락에 따라 현저한 차이를 보였으며, 특히 물이끼(Sphagnum palustre)가 분포하는 지점에서 두 습지 모두 낮은 함량을 나타내었다. 위의 결과를 바탕으로 소황병산늪과 질뫼늪은 약산성의 bog 습지로 생각되며, 두 습지 토양의 생성 연대를 분석한 결과 소황병산늪은 AD 100년 그리고 질뫼늪은 AD 1448년으로 조사되어 소황병산늪의 생성연대는 AD 100년 그리고 질뫼늪은 AD 1448년 이전에 습지가 형성되어졌을 것으로 추정된다.

Most TCOs such as ITO, AZO(Al-doped ZnO), FTO(F-doped SnO2) etc., which have been widely used in LCD,touch panel, solar cell, and organic LEDs etc. as transparent electrode material reveal n-type conductivity. But in order to realizetransparent circuit, transparent p-n junction, and introduction of transparent p-type materials are prerequisite. Additionalprerequisite condition is optical transparency in visible spectral region. Oxide based materials usually have a wide optical band-gap more than ~3.0eV. In this study, single-phase transparent semiconductor of SrCu2O2, which shows p-type conductivity, havebeen synthesized by 2-step solid state reaction at 950oC under N2 atmosphere, and single-phase SrCu2O2 thin films of p-typeTCOs have been deposited by RF magnetron sputtering on alkali-free glass substrate from single-phase target at 500oC, 1%H2/(Ar+H2) atmosphere. 3% H2/(Ar+H2) resulted in formation of second phases. Hall measurements confirmed the p-typenature of the fabricated SrCu2O2 thin films. The electrical conductivity, mobility of carrier and carrier density 5.27×10−2S/cm,2.2cm2/Vs, 1.53×1017/cm3 a room temperature, respectively. Transmittance and optical band-gap of the SrCu2O2 thin filmsrevealed 62% at 550nm and 3.28eV. The electrical and optical properties of the obtained SrCu2O2 thin films deposited by RFmagnetron sputtering were compared with those deposited by PLD and e-beam.

Optical characteristics and structural changes depending on CuO content in phosphate glasses that are used in near-infrared (near-IR) filters were investigated. With phosphate glasses that contain 1-9 mol% CuO, changes in optical transmittance, optical absorption, and color coordinate were measured with a UV-VIS spectrophotometer. An XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) analysis was performed to determine valence of copper ion that influences optical characteristics in near-IR filter glasses. Structural changes in glasses depending on CuO content were also analyzed by FT-IR (Fourier transform infrared) and Raman spectrophotometers. From the UV-VIS spectrophotometer results, strong absorption peaks at 220 & 900 nm were found and transmittance was decreased. The color coordinates of the glasses were shifted to the green color direction with CuO addition for increasing absorption of long wavelength range spectra, in spite of the amount of Cu2+, which gives a blue color to glasses, and which was increased in XPS results. Also, structural de-polymerization of glasses with CuO addition were found by FT-IR and Raman results.

알루미나 여과막은 boehmite 분말 (-AlOOH)을 이용하여 졸-겔법으로 준비되어졌다. 제조된 여과막은 상전이 온도와 미세구조 변화를 관찰하기 위해 지지체 없이 형성된 여과막을 제조하였다. 여과 공정의 응용에서 균일한 기공크기와 분포를 제어하는 것이 중용하다. 다공성 담체 위에 형성된 여과막과 다공성 담체 없이 형성된 여과막의 θ-to α-AL2O3로의 상전이는 박막 XRD를 이용하여 분석하였고, 미세구조의 변화의 관찰은 주사전자현미경(SEM)을 사용하여 관찰하였다. XRD에서 분석된 결과는 다공성 담체 위에 형성된 여과막이 다공성 담체 없이 형성된 여과막과 비교하여 100˚C 더 높은 상전이 온도를 가지는 것을 보여주었다. 이런 유사한 효과는 여과막의 미세구조 변화에서도 관찰되었다.

강유전체 재료의 하부전극으로 사용되고 있는 Pt/Ti 박막의 접착력에 대한 열처리 분위기의 영향을 연구하였다. 시편의 접착력은 90˚ 필 테스트 방법을 사용하여 정량적으로 측정하였다. 열처리 후 사용된 분이기에 관계없이 모두 접착력이 감소하였는데 특히 산소분위기에서 열처리 한 시편의 접착력이 매우 크게 감소하였다. AES depth profile과 단면 TEM을 이용하여 계면반응을 관찰한 결과 산소열처리시에는 Ti가 외부에서 확산해 온 산소와 반응하여 rutile TiO2상이 형성됨을 알 수 있었다. 그러므로 산소열처리 후에 일어나는 접착력의 급격한 감소 원인은 열처리시 취약한 TiO2상이 형성되며 이로 인해 Ti 접착층이 고갈되기 때문임을 알 수 있었다.

열산화막위에 LPCVD법을 이용하여 질화막을 형성시킨 후, 질화막의 열처리 유무와 습식재산화처리의 공정조건에 따른 다양한 막의 두께를 가진 ONO(oxide nitride oxide)캐패시터를 제작하여 여러가지 물성을 조사하였다. 질화막을 습식산화처리하여 전체막의 굴절윷과 식각거동을 관찰한 결과, 40Å두께의 질화막은 치밀하지 못하여 계속되는 산화공정동안에 하부층 산화막이 성장되었고 정전용량의 확보능력도 떨어졌다. ONO다층유전박막의 전도전류는 하부층 혹은 상부층 산화막의 두께가 증가함에 따라 감소하였다. 그러나 산화막이 50Å 이상인 경우에는 정전용량의 감소요인으로 작용할 뿐, hole유입에 대한 barrier역할은 크게 향상되지 못하였다. 산화전 질화막에 대한 열처리 효과는 막의 굴절율과 정전용량에 큰 영향을 주지 못하였으나 절연파괴전압은 약 2-3V 상승효과를 보였다.