Orthorhombic DyMnO3 films are fabricated epitaxially on Nb-1.0 wt%-doped SrTiO3 single crystal substrates using pulsed laser deposition technique. The structure of the deposited DyMnO3 films is studied by X-ray diffraction, and the epitaxial relationship between the film and the substrate is determined. The electrical transport properties reveal the diodelike rectifying behaviors in the all-perovskite oxide junctions over a wide temperature range (100 ~ 340 K). The forward current is exponentially related to the forward bias voltage, and the extracted ideality factors show distinct transport mechanisms in high and low positive regions. The leakage current increases with increasing reverse bias voltage, and the breakdown voltage decreases with decrease temperature, a consequence of tunneling effects because the leakage current at low temperature is larger than that at high temperature. The determined built-in potentials are 0.37 V in the low bias region, and 0.11 V in the high bias region, respectively. The results show the importance of temperature and applied bias in determining the electrical transport characteristics of all-perovskite oxide heterostructures.

기판온도, 박막조성 및 증착후 열처리 등의 조건에 따른 La1-xSrxMnO3-δ(0.19≤x≤0.31) 박막의 결절구조와 전기전도 특성을 조사하였다. 스퍼터법을 이용하여 500˚C에서 증착된 박막은 강한<001> 우선배향성과 유사정방정(pseudo-tetrag-onal, a/c-=0.97) 결정체를 나타냈다. 이러한 박막의 단위포는 산소분위기 내에서 증착후 열처리에 의하여 입장정 결정계로 변하였다. La0.67Sr0.33MnO3 조성의 주타겟과 La0.3Sr0.7MnO3조성의 보조타겟을 동시에 이용하여 박막의 조성을 조절하였다. 보조타겟의 개수에 따라 박막내의 Sr 함량(x)은 0.19-0.31 범위의 값을 나타내었으며, x값이 0.19로부터 0.31로 증가시 금소-반도체의 전이 온도가 상승하였고, 전지비저항이 대체로 감소하였다. 0.18 T의 자기장 하에서, La0.69Sr0.31MnO3조성의 박막의 자기저항변화 MR((%) = (ρo-ρH/ρH)는 약 390% 이었다.