ZrO2 films were coated on aluminum etching foil by the sol-gel method to apply ZrO2 as a dielectric material in an aluminum(Al) electrolytic capacitor. ZrO2 films annealed above 450˚C appeared to have a tetragonal structure. The withdrawal speed during dip-coating, and the annealing temperature, influenced crack-growth in the films. The ZrO2 films annealed at 500˚C exhibited a dielectric constant of 33 at 1 kHz. Also, uniform ZrO2 tunnels formed in Al etch-pits 1μm in diameter. However, ZrO2 film of 100-200 nm thickness showed the withstanding voltage of 15 V, which was unsuitable for a high-voltage capacitor. In order to improve the withstanding voltage, ZrO2-coated Al etching foils were anodized at 300 V. After being anodized, the Al2O3 film grew in the directions of both the Al-metal matrix and the ZrO2 film, and the ZrO2-coated Al foil showed a withstanding voltage of 300 V. However, the capacitance of the ZrO2-coated Al foil exhibited only a small increase because the thickness of the Al2O3 film was 4-5 times thicker than that of ZrO2 film.

전해콘텐서용 알루미늄박의 직류에칭에서 1M 염산욕에 부식억제제로 1M 황산을 첨가했을 때의 영향을 조사하기 위하여 에치 피트의 밀도, 에치 터널의 길이와 직경, 정전 용량 등의 변화를 분석하였다. 황산이온은 부식억제제로서 염소이온보다 시료의 표면에서 에치 피트의 밀도를 증가시키며 에치 터널의 직경은 감소하나 길이를 증가시킴으로써 전체적으로 표면적이 커지고 또한 정전 용량 값이 증가하였다. 황산이온을 첨가하였을 경우 전류 밀도가 0.9A/cm2 보다 낮은 경우에는 정전 용량 값이 작지만 그 이상에서는 정전용량이 현저하게 증가하였다.