본 연구에서는 이온선보조증착법에 의해 Si(100)기판위에 정합성장된 Si0.5Ge0.5층의 핵성성과 성장을 고찰하였다. 성장층에 대한 AFM(Atomic Force Microscopy), RHEED(Reflection High Energy Electron diffraction) 등의 분석결과 Si(100)기판위에 이온선보조증착에 의하여 성장된 Si0.5Ge0.5</TEX>층은 Stranski-Kranstanov(SK)기구로 성장되며, 300eV, 10 μA/cm2의 Ar이온선을 조사시키는 경우 결정성이 향상되었고, SK 성장 방식의 임계두께가 증가하였다. Ar 이온선 조사에 의해 MBE에 의한 정합성장온도(550˚C-600˚C)보다 훨씬 낮은 200˚C에서 정합성장이 가능하였으며, xmn값은 10.5%로 MBE에 의한 정합성장시 보고된 xmn 값보다 낮았다. 이온충돌에 의해 발생한 3차원 island의 분해와 표면확산의 증가가 Si0.5Ge0.5층의 성장에 현저한 영향을 미쳤으며, 이온충돌의 영향은 3차원 island의 생성보다 3차원 island의 분해가 더 안정한 낮은 증착온도에서만 관찰되었다.