이온 주입에 의하여 경화된 탄화층을 가지는 포토레지스트는 통상적인 습식 또는 건식 처리로는 제거하기가 매우 어렵다. 본 연구에서는 확산성과 물질전달특성이 우수한 초임계 이산화탄소와 공용매 및 첨가제를 사용하여 고이온 주입된 포토레지스트를 제거하는 방법을 연구하였다. 공용매의 종류 및 농도, 압력, 온도, 첨가제의 종류에 따른 제거특성을 연구하였으며, 제거 전 후의 웨이퍼 표면 상태 및 성분을 SEM, EDS를 사용하여 분석하였다. 산 혼합 공용매를 사용하여 4000psi, 70℃에서 2분간 처리 하였을 때, 포토레지스트는 100% 제거됨을 알 수 있었다.

Common wet and dry stripping processes have not been successful in the case of high dose ion
implanted (HDI) photoresists which has hardened carbon layer on their surface by ion injection. In this study, the stripping of HDI photoresist was investigated by using super critical CO2 which has high diffusivity and mass transfer rate, together with suitable co-solvent and additive. Stripping efficiency was strongly dependent on pressure, temperature, and the type and concentration of co-solvent and additives. The surface and gradients of Si wafer was analyzed by SEM and EDS before and after stripping. The photoresist was completely removed when it was treated with the mixture of acids and co-solvent at 70℃ and 4000 psi for 2 minutes.

요 약
 Abstract
 1. 서 론
 2. 실 험
 3. 결과 및 토의
 4. 결 론
 참고 문헌

• 김승호(부경대학교 화상정보공학부) | Seung Ho Kim
• 김준호(부경대학교 화상정보공학부) | Jun Ho Kim
• 임권택(부경대학교 화상정보공학부) | Kwon Taek Lim