Ti-Silicides를 single-Si wafer와 그 위에 oxide를 성장시킨 기판위에 composite target(TiSi2.6)을 sputtering함으로써 증착시켰다. 증착된 비정질 상태의 Ti-silicide는 급속 열처리(RTA)방법으로 600˚C에서 850˚C가지 20초간 처리하였다. RTA온도가 800˚C가 되어서야 비로소 안정한 TiSi2가 형성되었으며, 그 때의 비저항 값은 27~29μΩ-cm로 Ti-metal reactive방법에 의한 TiSi2보다 약간 높은 값으로 드러났다. X-ray로 상천이를 조사한 결과 역시 750˚C가지 C49 TiSi2가 형성되고, 800˚C가 되어서야 안정한 C54 TiSi2로의 상천이가 일어남을 나타내고 있다. 또한 완전히 형성된 Ti-silicide의 조성비는 x-ray photoelectron spectroscopy(XPS)결과에서 Ti : Si이 1 : 2로 드러났으며, 그 동안 reactive 시켰을 때 TiSi2의 단점으로 지적되어 왔던 형성 완료된 TiSi2의 surface roughness는 17±1mm이내로 매우 우수한 값으로 판명되어, device에 대한 응용 가능성을 높이고 있다.

• 최진석 | Choe, Jin-Seok
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