Platelet derived growth factor (PDGF)-BB is one of the most potent vascular smooth muscle cell (VSMC) proliferative factors, and abnormal VSMC proliferation by PDGF-BB plays an important role in the development and progression of atherosclerosis. The aim of this study was to assess the effect of YP 12, a newly synthesized obovatol derivative, on the proliferation of PDGF-BB-stimulated rat aortic VSMCs. The anti-proliferative effects of YP 12 on rat aortic VSMCs were examined by direct cell counting and by using [3H] thymidine incorporation assays. It was found that YP 12 potently inhibited the growth of VSMCs. The pre-incubation of YP 12 (1-4 μM)significantly inhibited the proliferation and DNA synthesis of 25 ng/ml PDGF-BB-stimulated rat aortic VSMCs in a concentration-dependent manner. In accordance with these findings, YP 12 revealed blocking of the PDGF-BB-inducible progression through G0/G1 to S phase of the cell cycle in synchronized cells. Whereas, YP 12 did not show any cytotoxicity in rat aortic VSMCs in this experimental condition by WST-1 assay. These results also show that YP 12may have potential as an anti-proliferative agent for the treatment of restenosis and atherosclerosis.

본 연구는 기존의 수정란 이식기술을 다각적으로 분석하고 개선하여 한우 체내수정란의 생산 및 이식기술 체계를 확립하기 위하여 수행하였다 수정란의 생산 및 이식은 농협중앙회 가축개량사업소 한우개량부에서 사육하고 있는 공란우 232두와 수란우 434두를 이용하여 실시하였다. 본 연구에서 얻어진 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 수란우의 황체 위치와 등급에 따라 수정란이식을 실시한 결과는 오른쪽 난소의 A등급 황체, 왼쪽 난소의 B등급 황체가 존재할 경우가

본 연구는 기존의 수정란 이식기술을 다각적으로 분석하고 개선하여 한우 체내수정란의 생산 및 이식기술 체계를 확립하기 위하여 수행하였으며, 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 배란에 미치는 FSH analogue 간의 유의성은 인정되지 않았으나 수정률, 이식 가능 수정란 및 동결수정란 생산에는 처리간에 유의성(P<0.05)이 인정되었다. 특히, Super-OV는 Foll-tropin-V 및 Embryo-S에 비해서 이식 가능 수정란의 생산율이 유의적(P<

내열금속인 W, Ti와 이들의 질화물인 W2N, TiN 박막을 이용하여 탄화규소 ohmic 접촉을 연구하였다. 열처리 온도에 따른 고온 안정성과 전기적 특성 및 상호 확산 억제 특성을 고찰함으로써 이들 질화물의 고온에서 안정한 ohmic 접촉으로 이용가능성을 조사하였다. 새로운 유기화합물 원료인 bis-trimethylsilylmethane을 이용하여 화학기상 증착법으로 증착한 단결정 β-SiC 박막과 W이 가장 낮은 접촉 비저항, 2.17×10(sup)-5Ωcm2를 보였으며, Ti 계열은 상대적으로 높은 접촉 비저항 값을 나타내었다. 이들 전극 위에 산화 방지막으로 Pt 박막을 증착함으로써 전극의 산화를 막을 수 있었으며, 질화물 전극은 고온에서 금속접촉에 비해 안정한 전기적 특성을 나타내었고, 상호 확산 방지 특성 면에도 우수한 특성을 지니고 있음을 알 수 있었다.

The object of this study were twofold, namely, to study on (1) effect of using ultrasound therapy for curing warts (2) any relation between a cure for warts and onset of warts, as well as subject age. Our subjects, composed of 22 people from age 12 to 49, were assigned to two groups, experimental group and control group. We experimented for 8 session on 12 people in the experimental group by using ultrasound therapy to observe any morphological change in the warts or disappearance of a pain. However, we did not cure warts in the other group, control group. The result of the study are as follows. (1) Ultrasound therapy has an effect on curing warts. (2) Neither condition, onset of warts or subject age, had no influence on a cure for warts.

(PbZr52,Ti48)O3인 composite ceramic target을 사용하여 R. F. 마그네트론 스퍼터링 방법으로 기판온도 300˚C에서 Pt/Ti/Si 기판위에 PZT 박막을 증착하였다. 페롭스 카이트 PZT박막을 얻기 위하여 PbO분위기에서 로열처리를 행하였다. 하부전극으로 Pt를 사용하였으며 Pt(205Å)/Ti(500 Å)/Si 및 Pt(1000Å)/Ti(500Å)/Si기판을 준비하여 Pt두께화 Ti층이 산소의sink로 작용함으로서 이를 가속화하였다. Ti층의 상부는 산소의 확산으로 인하여 TiOx층으로 변태하였고 하부는 in diffused Pt와 함께 실리사이드층을 형성하였다. TiOx 층의 형성은PZT층의 방향성에 영향을 주었다. 유전상수 (10kHz), 누설전류, 파괴전압, 잔류분극 및 항전계는 각각 571, 32,65μ A /cm2, 0.40MV/cm, 3.3μ C /cm2, 0.15MV/cm이었다.

Single-Si 기판과 poly-Si 기판에 각각 Ti을 sputter한 후 RTA 처리하여 안정한 TiSi2를 형성하였다. 그 위에 Si이 1% 첨가된 Al-1% Si을 600nm sputter한 후 후속 열처리로서 400-600˚C 에서 30분간 N2분위기로 furnace어닐링을 실시하였다. 이렇게 준비된 각 시편에 대하여 면저항 측정, Auger분석, SEM 사진으로 Al-1% Si/TiSi2이중층 구조에서 Ti-silicide의 열적 안정성을 살펴 보았고, EDS 분석과 X-ray 회절 peak 분석을 통하여 Al-1% Si 층과 TiSi2층의 반응으로 생긴 석출물의 성분과 상을 조사하였다. 이로 부터 다음과 같은 결과를 얻었다 Single-Si 기관에서 형성한 TiSi2층은 Al-1% Si 층과 550˚C에서 완전히 반응하여 석출물을 형성하였고, poly-Si 기판에서 형성한 TiSi2층은 Al-1% Si 층과 500˚C에서 완전히 반응하여 석출물을 형성하였는데 전반적으로 기판이 poly-Si인 경우가 반응이 더 잘 일어났고, 석출물의 크기도 비교적 컸다. 이는 poly-Si에 존재하는 grain boundary로 인해 poly-Si에서 형성된 Ti-silicide 층이single-Si 기관에서 형성된 Ti-silicide 층보다 불안정하기 때문으로 생각된다. EDS 분석에 의하여 석출물은 Ti, Al, 그리고 Si로 이루어진 3상 화합물이라고 추정되었고, X-ray회절 분석에 의해 석출물은 Ti, Al, 그리고 Si간의 3상 화합물인 Ti7Al5Si12로 확인되었다.

Ti-Silicides를 single-Si wafer와 그 위에 oxide를 성장시킨 기판위에 composite target(TiSi2.6)을 sputtering함으로써 증착시켰다. 증착된 비정질 상태의 Ti-silicide는 급속 열처리(RTA)방법으로 600˚C에서 850˚C가지 20초간 처리하였다. RTA온도가 800˚C가 되어서야 비로소 안정한 TiSi2가 형성되었으며, 그 때의 비저항 값은 27~29μΩ-cm로 Ti-metal reactive방법에 의한 TiSi2보다 약간 높은 값으로 드러났다. X-ray로 상천이를 조사한 결과 역시 750˚C가지 C49 TiSi2가 형성되고, 800˚C가 되어서야 안정한 C54 TiSi2로의 상천이가 일어남을 나타내고 있다. 또한 완전히 형성된 Ti-silicide의 조성비는 x-ray photoelectron spectroscopy(XPS)결과에서 Ti : Si이 1 : 2로 드러났으며, 그 동안 reactive 시켰을 때 TiSi2의 단점으로 지적되어 왔던 형성 완료된 TiSi2의 surface roughness는 17±1mm이내로 매우 우수한 값으로 판명되어, device에 대한 응용 가능성을 높이고 있다.

Laboratory experiments were performed to investigate the effects of various factors on the phosphorus removal by electrolysis with aluminium electrodes. The efficiency of phosphorus removal increased with increasing of voltage applied, surface area of electrodes and electrolyte concentration, and decreasing of electrode distance. The phosphorus removal was not affected by the connection number of an electric circuit. The amount of aluminium ion eluted from electrodes according to Faraday's law was 4.47 ㎎ and the Al/P mole ratio was 2.14 at the electric current value of 20 ㎃.