CHF3/C2F6 반응성이온 건식식각에 의한 실리콘 표면의 변형에 관한 연구

박형호; 권광호; 곽병화; 이수민; 권오준; 김보우; 성영권

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CHF3/C2F6 반응성이온 건식식각에 의한 실리콘 표면의 변형에 관한 연구 KCI 등재 SCOPUS

A study on a silicon surface modification by CHF3/C2F6 reactive ion etching

박형호, 권광호, 곽병화, 이수민, 권오준, 김보우, 성영권

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294571

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제1권 제4호 (1991.12)
pp.214-220

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

실리콘 산화막을 CHF3/C2F6 혼합가스를 사용하여 반응성이온 건식식각을 행할 때 실리콘 표면에 형성되는 잔류막과 손상층을 X-선 광전자 분광기(XPS)와 이차이온 질량 분석기(SIMS)를 사용, 연구하였다. 실리콘, 탄소, 산소 및 불소의 angle-resolved XPS분석기술을 이용한 비파괴적 화학결합상태의 깊이분포 분석을 통하여 잔류막의 표면부에 O-F 결합이 존재하며 잔류막은 주로 탄소와 불소의 결합체인 C-F 플리머로 구성되어져 있고 Si-O, Si-C 및 Si-F 결합 등이 존재함을 알았다. 손상층은 실리콘 표면에서 약 60nm 깊이까지 탄소와 불소의 침투에 의해 형성되어져 있음을 알았다.

저자

박형호 | Park, Hyeong-Ho
권광호 | 권광호
곽병화 | 곽병화
이수민 | 이수민
권오준 | 권오준
김보우 | 김보우
성영권 | 성영권

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