CHF3/C2F6 반응성이온 건식식각에 의해 변형된 실리콘 표면의 열적 거동에 관한 연구

박형호; 권광호; 곽병화; 이중환; 이수민; 권오준; 김보우; 성영권

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CHF3/C2F6 반응성이온 건식식각에 의해 변형된 실리콘 표면의 열적 거동에 관한 연구 KCI 등재 SCOPUS

Thermal behavior of modified silicon surface by CHF3/C2F6 reactive ion etching

박형호, 권광호, 곽병화, 이중환, 이수민, 권오준, 김보우, 성영권

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294578

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제2권 제1호 (1992.02)
pp.35-42

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

실릴콘 산화막을 CHF3/C2F6 혼합가스를 사용하여 반응성이온 건식식각을 행할 때 실리콘 표면에 형성되는 잔류막과 손상충의 열적 거동을 X-선 광전자 분광기(XPS)와 이차이온 질량 분석기 (SIMS)를 사용, 연구하였다. 저항가열을 통한 in-situ 분석에 의해 폴리머 잔류막은 200˚C부터 분해가 시작되고 400˚C 이상의 가열에서는 graphite 형태의 탄소 결합체를 형성하며 분해됨을 알았다. 질소 분위기하의 급속 열처리를 통해 잔류막의 열분해는 800˚C 이상에서 완료되고 손상층을 형성하는 침투 불순원소의 기판 외부로의 확산이 관찰되었다.

저자

박형호 | Park, Hyung-Ho
권광호 | 권광호
곽병화 | 곽병화
이중환 | 이중환
이수민 | 이수민
권오준 | 권오준
김보우 | 김보우
성영권 | 성영권

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