In situ on-axis rf magnetron sputtering 방법으로 Y1Ba2Cu4 2Ox의 비화학 양론적인 타게트를 사용하여 Tc, zero/-88.2K, δTc,<1.5K의 고온초전도 박막을 제조하고, 활성이온식각법으로 이 박막을 patterning하여 그 특성을 조사하였다. 제조된 패턴은 깨끗한 경계면을 가지고 있음이 관찰되었으며, 패턴 폭이 5μm에서 2μm로 좁아짐에 따라 임계온도와 임계전류밀도의 특성저하가 나타났으나, 그 저하폭이 크지 않아 소자로서 응용하기에 충분한 특성을 가지고 있음을 확인하였다. 한편 RIE방법에 의하여 미크론 이하의 선폭 제조가능성을 확인하였다.

• 박종혁 | Park, Jong-Hyeok
• 한택상 | 한택상
• 김영환 | 김영환
• 최상삼 | 최상삼