초청정 Si기판에 동시 증착된 TiSi2 의 상전이 및 형성

강응열; 조윤성; 박종완; 전형탁

논문 상세보기

초청정 Si기판에 동시 증착된 TiSi2 의 상전이 및 형성 KCI 등재 SCOPUS

Phase Transition and Formatio of TiSi2 Codeposited on Atomicaily Clean Si(111)

강응열, 조윤성, 박종완, 전형탁

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/294730

구독 기관 인증 시 무료 이용이 가능합니다. 4,000원

한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제4권 제1호 (1994.02)
pp.107-112

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

초청정 실리콘 기판위에 동시증착(codeposition)하여 형성된 Ti silicide의 상전이와 표면 및 계면 형상을 조사하였다. UHV(UItra Highvaccum) 챔버에서 200ÅTi와 400Å Si을 400-800˚C로 가열한 실리콘 기판위에 동시증착하였다. XRD, SEM, TEM 으로 상전이와 계면 및 표면을 관찰하였다. 비교적 평편한 형상을 갖는 C49상은 500˚C와 600˚C에서 형성되었으며 응집화 현상은 관찰되지 않았다. 700˚C에서 형성된 C54는 표면과 계면의 형상이 거칠어졌다. 기판의 온도가 800˚C로 증가할때 이런 현상은 더욱 뚜렷히 관찰되었다. 400˚C와 500˚C에서 TiSi와 관련된 XRD peak가 관찰되었고, TEM사진에서 기판과 박막계면에 작은 결정들이 존재하는 것이 보이고 있다.

저자

강응열 | Gang, Eung-Yeol
조윤성 | 조윤성
박종완 | 박종완
전형탁 | 전형탁

같은 권호 다른 논문