최근 급격한 기업 환경의 변화와 새로운 일 방식으로의 전환은 인적자원관리 영역에 있어 대안적 접근방식을 요청하였다. 대안적 접근의 형태는 인적자원관리를 통한 조직 구성원의 웰빙 향상으로 변화에 대한 선제적 대응과 조직의 지속적 성장을 담보하는 것이다. 특히 조직 구성원 웰빙 요소인 일 몰입은 일터 현장 내 긍정적 가치를 확대하고 조직의 성과증진 및 경쟁우위 확보를 위한 핵심 요인으로 각광받고 있다. 따라서 일 몰입에 대한 선행요인을 탐색하고 이를 실증하는 것은 노동시장과 일터 변화에 효과적으로 대응하고 조직의 생존과 지속적 성장에 필요한 요인을 구명한다는 차원에서 중요한 의의를 지닌다. 이러한 배경에서 이 연구는 일 몰입 관련 변인을 탐색하고 변인 간 영향관계를 실증하여 인적자원관리 차원에서 의미 있는 시사점을 도출하는데 목적을 두었다. 이 연구에서 독립변인의 경우 리더가 긍정심리역량과 진정성을 바탕으로 영향력을 행사하는 리더십인 진성리더십을 선정하였고, 이것이 일 몰입에 미치는 영향경로에서 있어 조직학습역량을 매개변인으로 설정하였다. 설정된 연구모형을 실증하기 위하여 이 연구에서는 대기업 조직에 근무하고 있는 사무직 근로자를 대상으로 286부의 설문응답 자료를 수집하였다. 이후 수집된 자료를 토대로 통계분석을 진행하였다. 분석결과는 다음과 같다. 첫째, 진성리더십은 일 몰입에 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 둘째, 진성리더십은 조직학습역량에 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 셋째, 조직학습역량은 일 몰입에 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 넷째 진성리더십과 일 몰입 영향관계에서 조직학습역량은 매개효과를 갖는 것으로 나타났다. 리더의 진성리더십이 조직 구성원들의 일 몰입에 직, 간접적으로 영향을 미치며, 조직학습역량 또한 일 몰입에 직접적인 영향을 미친다는 결과를 통해서 일 몰입을 향상시키기 위해 진성리더십과 조직학습역량이 중요하게 고려되어야 한다는 사실을 확인할 수 있었다. 따라서 이 연구에서는 해당 연구결과를 바탕으로 이론적, 실천적 시사점과 연구의 한계점 및 향후 연구방향을 제시하였다.

본 연구에서는 옥상 인공습지 조성에 적합한 식물들을 이용하 여 옥상 내 인공 생태습지를 조성하고자 관상가치가 높고 약용 가능한 식물 종으로, 자연서식처를 제공할 수 있는 효율적인 식 생공간을 조성하기 위하여 옥상 인공습지 조성에 적합한 배지 및 식재층 깊이를 선발하여 적합한 생육조건을 찾고자 실험한 결과는 다음과 같다. 배지선발에서 코코피트는 피트모스와 원예용 배양토에 비해 삼색무늬 약모밀(Houttuynia cordata), 질경이택 사(Alisma orientale), 삼백초(Saururus chinensis) 의 생육이 낮게 나타났다. 피트모스는 원예용 배양토에 비해 삼색무늬 약모 밀(Houttuynia cordata), 질경이택사(Alisma orientale), 삼백초(Saururus chinensis) 의 생육이 조금 높았다. 실험결과 피트모 스가 생장에 가장 적합한 배지로 나타났다. 식재층 깊이 선발 실험에서는 약모밀의 경우 생육은 처리간에 큰 차이가 없었다. 질경이택사의 생육은 30, 20, 10cm 순으로 생육이 높았지만 20과 10cm생육은 큰 차이가 나타나지 않았다. 삼백초의 초장은 30, 20, 10cm 순으로 높았고 초폭은 10, 20, 30cm 순으로 높게 나타났다. 약모밀 같은 키가 작은 소형식물은 10cm 식재 층 깊이에서도 생육이 비슷하므로 식물 선발만 잘한다면 10cm 깊이 식재층도 가능할 것으로 나타났다. 이상 본 연구결과를 종 합해 보면 옥상습지 조성에 있어서 적정 배지는 피트모스이고 식재깊이 20cm 이상이 적합한 것으로 나타났다.

본 연구는 수출용 접목선인장 ‘후홍’의 기존에 사용 되고 있는 배지인 피트모스 보다 가격이 낮으며 생육이 양호한 배지를 선발하여 선인장 농가의 비용절감을 이 끌어내어 소득증대를 높이고자 수행되었다. 접목선인장 ‘후홍’을 10종류 배지(피트모스, 배양토 BM6 , 코코피트, 수태, 하이드로톤, 하이드로크레이, 하이드로볼, 휴가토, 버미큘라이트, 펄라이트)에 재배하여 배지의 이화학적 성분과 생육, 베타시아닌을 조사분석한 결과 다음과 같 았다. 수출용 접목 선인장 ‘후홍’의 식재 90일 후 배지의 물리성에서 대조구인 피트모스와 가장 유사한 값을 보인 배지는 배양토(BM6)과 코코피트였으며 배지의 화학성에 서는 코코피트가 90일 후에도 급격한 변화가 없어 큰 변화를 보인 다른 배지에 비해 안정된 모습을 보였다. 생육은 코코피트에서 높은 생육을 보였으며 배양토(BM6) 와 수태는 전체적으로 다른 배지에 비해 낮은 생육상태를 보였다. 베타시아닌 색소는 두상관수와 저면과순처리 중 저면관수에서 조금 더 높은 값을 보였다. 10개의 배지에 서는 휴가토가 두상관수, 저면관수 모두 높은 값을 보였 다. 이와 같이 대조구인 피트모스와 유사한 값을 보이며 배지, 생육, 색소에서 양호한 상태를 보인 코코피트가 적합할 것으로 판단되었다.

전자빔 증착법을 사용하여 Ti과 Co를 Si(100) 단결정, 다결정 Si 및 SiO2기판에 증착한 후 900˚C에서 20초 급속 열처리하여, Co/Ti 이중박막으로부터의 실리사이드화 반응을 조사하였다. 단결정 시편의 경우 Ti의 두께를 5~6mm로 최소화함으로서 두께가 균일하고 기판과의 계면이 평탄하며 비저항이 낮고 열적 안정성이 높은 CoSi2 에피박막을 형성할 수 있었다. 그러나 다결정 시편에는 두께와 계면이 불균일하고 열적으로도 불안정한 다결정의 CoSi2와 그 위에 두개의 Co-Ti-Si혼합층이 형성되었다. 한편 SiO2 우에 증착된 Co/Ti은 열처리를 하여도 확산하지 않고 그대로 남아 있어서, Co/Ti 이중박막의 SiO2와의 반응성이 미약함을 보여 주었다.

Gate oxide의 특성은 세정공정에서 사용된 last세정용액에 큰 영향을 받는다. Standard RCA, HF-last, SCI-last, and HF-only 공정들은 gate oxidation하기 전 본 실험에서 행해진 세정공정들이다. 세정공정을 마친 Si기판들은 oxidation furnace에서 900˚C로 thermal oxidation공정을 거치게 된다. 100Å의 gate oxide를 성장시킨 후 lifetime detector, VPD, AAS, SIMS, TEM, 그리고 AFM고 같은 분석장비를 이용하여 oxide의 특성을 평가했다. HF-last와 HF-only 공정에 의해 금속 불순물들이 매우 효과적으로 제거됐음을 알 수 있었다. Oxide의 표면 및 계면 형상은AFM과 TEM 측정을 통하여 관찰하였다. 표면거칠기는 SCI 세정용액을 사용한 splits 실험에서 불균일함이 관찰되었고 HF-only세정공정을 거친 시편 및 계면이 가장 smooth했다.

초청정 실리콘 기판위에 동시증착(codeposition)하여 형성된 Ti silicide의 상전이와 표면 및 계면 형상을 조사하였다. UHV(UItra Highvaccum) 챔버에서 200ÅTi와 400Å Si을 400-800˚C로 가열한 실리콘 기판위에 동시증착하였다. XRD, SEM, TEM 으로 상전이와 계면 및 표면을 관찰하였다. 비교적 평편한 형상을 갖는 C49상은 500˚C와 600˚C에서 형성되었으며 응집화 현상은 관찰되지 않았다. 700˚C에서 형성된 C54는 표면과 계면의 형상이 거칠어졌다. 기판의 온도가 800˚C로 증가할때 이런 현상은 더욱 뚜렷히 관찰되었다. 400˚C와 500˚C에서 TiSi와 관련된 XRD peak가 관찰되었고, TEM사진에서 기판과 박막계면에 작은 결정들이 존재하는 것이 보이고 있다.

전자빔 증착법을 사용하여 10nm두께의 Ti과 18nm두께의 Co를 Si(100)기판에 증착한 후, N2분위기에서 900˚C, 20초 급속 열처리하여, Co/Ti 이중금속박막의 역전을 유도함으로서 CoSi2박막을 형성하였다. 4점 탐침기로 측정한 면저항은 3.9Ω/ㅁ 었으며, 열처리 시간을 증가해도 이값은 유지하여 열적 안정성을 나타내었다. XRD 결과는 형성된 실리사이드는 기판과 에피관계를 갖는 CoSi2상 임을 보였으며, SEM 사진은 평탄한 표면을 나타내었다. 단면 TEM 사진은 기판위에 형성된 박막층은 70nm 두께의 CoSi2 에피박막과 그위에 두개의 C0-Ri-Si합금층등 세개의 층으로 되어 있음을 보였다. AES 분석은, 기판상의 자연산화막을 형성할 수 있었음을 보여주었다. AES분석은, 기판상의 잔연산화막이 열처리초기, Ti에 의해 제거된후 Co가 원자적으로 깨끗한 Si기판에 확산하여 CoSi2에피박막을 형성할 수 있었음을 보여주었다. 700˚C, 20초 + 900˚C, 20초 이중 열처리를 한 경우, CoSi2결정성장으로 면저항값은 약간 낮아졌으나, 박막의 표면과 계면이 거칠었다. 이 CoSi2에피박막의 실제 소자에의 적용방안과 막의 역전을 통한 에피박막형성의 기제를 열역학 및 kinetics 관점에서 고찰하였다.