EMMI(Emission Microscope)와 FIB(Focused Ion Beam)를 이용한 Thin Oxide 불량분석

박진성; 이은구; 이현규; 이우선

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EMMI(Emission Microscope)와 FIB(Focused Ion Beam)를 이용한 Thin Oxide 불량분석 KCI 등재 SCOPUS

Failure Analysis of Thin Oxide by EMMI and FIB

박진성, 이은구, 이현규, 이우선

언어KOR
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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제6권 제6호 (1996.06)
pp.605-609

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

MOS 소자의 얇은산화막(thin oxide)불량을 화학적으로 식각하지 않고 불량부위를 광전자방사(photon emission)반응을 이용하여 위치를 확인하고, 이곳을 FIB로 절단하여 불량부위의 단면을 관찰했다. 20nm 두께의 SiO2불량은 셀(cell)영역의 위치에 따른 의존성은 없고, 불량은 저전계의 입자(particle)성 불량과 중간전계의 Si 기판 핏(pit)과 관련된 불량이 주였다. 고전계에서는 전형적인 SiO2 산화막의 절연파괴가 일어난 것이 관찰된다.

저자

박진성 | Park, Jin-Seong
이은구 | 이은구
이현규 | 이현규
이우선 | 이우선

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