Cu/CoSi2 및 Cu/Co-Ti 이중층 실리사이드의 계면반응

이종무; 이병욱; 김영욱; 이수천

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Cu/CoSi2 및 Cu/Co-Ti 이중층 실리사이드의 계면반응 KCI 등재 SCOPUS

Interfacial Reactions of Cu/CoSi2 and Cu/Co-Ti Bilayer Silicide

이종무, 이병욱, 김영욱, 이수천

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295108

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제6권 제12호 (1996.12)
pp.1192-1198

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

배선 재료나 salicide 트랜지스터에 적용될 것으로 기대되는 Cu 배선과 Co 단일층 및 Co/Ti 이중층을 사용하여 형성된 코발트 실리사이드간의 열적 안정성에 대하여 조사하였다. 400˚C열처리후 Cu3Si 막이 CoSi2층과 Si 기판 사이에 형성되었는데, 이것은 Cu 원자의 확산에 기인한 것이다. 600˚C에서의 열처리 후에 형성된 최종막의 구조는 각각 Cu/CoSi2/Cu3Si/Si과 TiO2/Co-Ti-Si 합금/CoSi2/Cu3Si/Si였으며, 상부에 형성된 TiO2층은 산소 오염에 의한 것으로 밝혀졌다.

저자

이종무 | Lee, Jong-Mu
이병욱 | 이병욱
김영욱 | 김영욱
이수천 | 이수천

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