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        3.
        2017.10 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        급성 결석성 담낭염의 근본적인 치료는 복강경하 담낭절제술이나 수술이 위험하거나 그 외 여러가지 이유로 담낭 절제술을 할 수 없는 경우 경피 경간적 담낭 배액술을 시행할 수 있 다. PTGBD는 급성 증상의 완화를 위한 유용한 방법이나 오랫 동안 PTGBD를 유치할 경우 여러 문제들이 발생할 수 있다. 본 증례는 급성 결석성 담낭염으로 진단된 환자가 PTGBD 를 시행한 후 입원 당시 대장암을 동시에 진단받고 나서 수술 적 치료를 거부하여 PTGBD를 제거하였으나 급성 담낭염의 재발로 PTGBD를 3년간 7차례 교체하면서 유지하게 되었고, 이후 내시경 역행성 담췌관 조영술을 시행하여 십이지장 유두부를 통해 담낭 내 담석을 성공적으로 제거하고, 27개월간 추 적 관찰하였으나 급성 담낭염의 재발 없이 성공적으로 치료된 증례를 보고하고자 한다.
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        4.
        2016.12 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        배경/목적: 만성 담낭염이란 담낭의 만성적인 염증반응으로 인해 담낭벽의 비후를 보이는 질환으로 염증이 오랜 기간 지속되면 담낭벽의 수축성 변화를 유발하기도 한다. 지속적인 만성 담낭염, 특히 담낭의 수축성 변화는 전암성 병변으로 인식되고 있다. 하지만 만성 담낭염과 담낭벽의 수축성 변화에 대한 임상적인 의의를 살펴본 연구가 거의 없고 담낭암과의 관련성 또한 연구된 바가 없다. 방법: 본 연구에서는 복부초음파와 CT를 통해 만성 담낭 염으로 진단된 환자 중 수술을 시행하여 조직학적 확진을 받 은 409명의 환자를 분석하였다. 결과: 409명의 만성 담낭염 환자 중 94%에서 담석이 있었고, 25% 환자에서 수축성 담낭을 가지고 있었다. 담낭벽 수 축성 변화 유무로 나누어 분석하였을 때 수축성 담낭그룹에서 복통을 호소하였던 환자가 많았고, 미만성 형태의 담낭벽 비후 및 개복수술로 전환된 비율이 높았다. 409명의 환자 중 7명이 담낭암으로 최종 진단되었는데 모두 60세 이상의 고령이었고 담석성 복통을 호소하여 수술을 진행하였다. 담낭벽 비후 형태, 수축성 변화는 담낭암 환자에서 차이가 없었다. 결론: 담낭의 수축성 변화는 만성 담낭염의 심한 형태로 생각되나 담낭암을 예측하는데 있어서 의미는 없었다. 따라서 수축성 변화 유무와 상관없이 만성 담낭염 환자에서는 고령이고 복통이 있으면 담낭절제술이 권고되지만 이런 조건에 맞지 않다면 주의 깊은 추적관찰도 고려해 볼 수 있겠다.
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        7.
        2007.06 KCI 등재후보 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        Airborne bacteria, fungi, and viruses are known to have adverse effects on human health. Various antimicrobial agents have been used to prohibit the growth of microorganisms on the surfaces of air filter media. In this study, nano-sized silver and copper particles were tested for their antifungal effects on indoor fungi, Cladosporium cladosporioides and Aspergillus versicolor. The growth circle of the fungi was observed on a solid agar plate containing the two nanoparticles. The nanoparticle concentration ranged from 0 to 500 μg/mL. The size of fungal growth circle seemed to decrease with increasing nanoparticle concentration in agar plates, indicating that silver and copper nanoparticles have antifungal properties against C. cladosporioides and A. versicolor.
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        8.
        1998.12 KCI 등재 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
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        9.
        1996.12 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        배선 재료나 salicide 트랜지스터에 적용될 것으로 기대되는 Cu 배선과 Co 단일층 및 Co/Ti 이중층을 사용하여 형성된 코발트 실리사이드간의 열적 안정성에 대하여 조사하였다. 400˚C열처리후 Cu3Si 막이 CoSi2층과 Si 기판 사이에 형성되었는데, 이것은 Cu 원자의 확산에 기인한 것이다. 600˚C에서의 열처리 후에 형성된 최종막의 구조는 각각 Cu/CoSi2/Cu3Si/Si과 TiO2/Co-Ti-Si 합금/CoSi2/Cu3Si/Si였으며, 상부에 형성된 TiO2층은 산소 오염에 의한 것으로 밝혀졌다.
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        10.
        1996.09 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        Co 단일층과 Co/Ti 이중층으로부터 형성된 코발트 실리사이드를 최종 막의 구조와 에피텍셜 성장 측면에서 조사하였다. Co 단일층은 그 두께와는 관계없이 전체 막이 CoSi2로 변화된 반면에, Co/Ti 이중층 구조에서는 Co와 Ti 막의 두께비가 최종막 구조에 상당한 영향을 주었다. 그리고 CoSi2막의 에피 성장이 Co 단일층에서 보다는 Co/Ti 이중층에서 보다 용이하였다.
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        11.
        1996.08 KCI 등재 SCOPUS 구독 인증기관 무료, 개인회원 유료
        Co/Nb 이중층 구조의 RTA처리에 따른 층역전 현상을 이용하여 CoSi2를 형성하였다. 중간에 삽입된 Nb층은 산화성향이 매우 커서 Si와 Co의 균일한 반응을 방해하는 Si 기판 표면의 산화막을 충분히 제거해 줄 수 있을 뿐만아니라 Co 의 실리사이드화 반응시에 Co와 결합하여 안정한 화합물을 형성해서 기판 Si의 과잉 소모를 막아 줌으로써 실리사이드화 반응을 제어하는 역할을 하는 것으로 나타났다. Co/Nb이중층 구조를 800˚C에서 열처리하여 얻은 최종 구조는 NB2O5/Co2Si.CoSi/NbCox/Nb(O,C)/CoSi2/Si으로 이층들간의 역전과 안정한 CoSi2상의 형성은 비교적 고온인 약 700˚C부터 시작되었으며, 전 열처리 온도구간에서 Nb의 실리사이드가 발견되지 않았는데, 이러한 점들은 모두 Nb 산화물이나 Co-Nb합금층과 같은 매우 안정한 중간 구조상들이 Co와 Si의 원활한 이동을 제한하기 때문으로 보인다.
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