Au/Si(100)기판상에서 Cu-MOCVD 박막의 성장과 상호확산거동

조범래; 박동구; 이영기; 김정열

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Au/Si(100)기판상에서 Cu-MOCVD 박막의 성장과 상호확산거동 KCI 등재 SCOPUS

Growth and Interdiffusion Behavior of Copper MOCVD Films on Au/Si(100) Substrates

김정열, 이영기, 박동구, 조범래

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295213

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제7권 제8호 (1997.08)
pp.668-678

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

Si(100)기판상에 여러 가지 두께의 Au박막을 선행 증착(pre-deposition)한 후, 각각의 Au박막상에서의 Cu-MOCVD박막의 초기 핵생성과 성장 기구를 고찰하였고, 또한 각 계면에서의 상호 확산 거동을 여러가지의 분석 장비를 이용하여 조사하였다. 30Å두께의 Au 박막은 수소 가스 분위기중의 열처리에 의하여 평탄한 표면 상태에서 불연속의 응집된 도상(island)형태로 변화(Si 전체 표면중 약 20%)하였다. 반면에 1500Å두께의 Au박막상에서 성장한 Cu-MOCVD박막은 두께 증가에 따른 미세구조의 차이, 즉 Cu박막중으로 Au원자의 확산여부는 Au박막에 유기되는 열응력(thermal stress)을 완화하는 과정에서 일어난 결과이다.

저자

조범래 | 조범래
박동구 | 박동구
이영기 | 이영기
김정열 | Kim, Jeong-Yeol

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