PVD 방법에 의한 TiN/TiSi2-bilayer 형성

최치규; 강민성; 김덕수; 이광만; 황찬용; 서경수; 이정용; 김건호

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PVD 방법에 의한 TiN/TiSi2-bilayer 형성 KCI 등재 SCOPUS

Formation of TiN/TiSi2-bilayer by PVD method

최치규, 강민성, 김덕수, 이광만, 황찬용, 서경수, 이정용, 김건호

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295461

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제8권 제12호 (1998.12)
pp.1182-1189

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

Si 기판을 실온과 600˚C로 유지하면서 동시 증착 방법으로 (Ti+2Si)를 증착한 후 N2 분위기에서 Ti를 증발시켜 TiN(300Å)/(Ti+2Si, 300Å)/Si(100) 구조의 시료를 제작한 다음 초고진공에서 in-situ로 열처리하여 양질의 TiN/TiSi2-bilayer를 형성하였다 열처리 온도가 700˚C 이상에서 (111) texture 구조를 가지면서 화학 양론적으로 Ti0.5N0.5인 박막과 C54-TiSi2박막이 형성되었다. TiN/C54-TiSi2/Si (100)구조의 계면은 응집 현상이 없이 평활하였으며, C54-TiSi2상은 에피택셜 성장되었다. TiN/TiSi2-이중구조막의 면저항은 열처리 온도에 따라 감소하였으며, 700˚C 이상의 열처리 온도에서는 면저항 값이 2.5Ω/cm2 였다.

저자

최치규 | Choe, Chi-Gyu
강민성 | 강민성
김덕수 | 김덕수
이광만 | 이광만
황찬용 | 황찬용
서경수 | 서경수
이정용 | 이정용
김건호 | 김건호

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