N2 가스 Flow에 의한 LPCVD 방법으로 증착된 다결정 실리콘 박막의 산소농도 저하

안승중; 정민호

논문 상세보기

N2 가스 Flow에 의한 LPCVD 방법으로 증착된 다결정 실리콘 박막의 산소농도 저하 KCI 등재 SCOPUS

Reduction of Oxygen Concentration in the LPCVD Polysilicon Films Deposited by N2 Gas-Flow Method

안승중, 정민호

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295505

구독 기관 인증 시 무료 이용이 가능합니다. 4,000원

한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제9권 제3호 (1999.03)
pp.269-273

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

일반적으로 LPCVD 방법에 의한 다결정 실리콘 박막은 SiH4가스를 열분해하여 증착한다. 본 실험에서는 다결정 실리콘 박막속에 포함된 산소농도를 낮추기 위하여 실리콘 웨이퍼를 반응로 안으로 장착할 때, 20slm의 N2가스를 반응로의 위에서부터 아래로 flow하였으며 박막의 산소농도를 측정하기 위하여 두께가 1000Å인 박막을 증착한 다음 SIMS로 분석한 결과 반응로의 hatch에 있는 짧은 injector를 통하여 20slm의 N2가스를 flow한 경우보다 박막의 산소농도가 ~30배 정도 낮아짐을 알 수 있었다. 긴 injector를 사용하여 증착된 박막의 두께 균일도, particle 및 Rs를 측정하여 박막증착의 재현성이 있음을 평가하였다.

저자

안승중 | An, Seung-Jung
정민호 | 정민호

같은 권호 다른 논문