이 연구는 양이온 불균질막을 제조하기 위해 PVdF와 상용 양이온교환수지를 배합하여 제조하고 최적의 조건제시 및 기존 상용화막과 비교 평가하였다. 연구결과 불균질막이 기존의 상용화막보다 이온교환용량, 전기저항, 함수율 부분에서 높은 물성을 나타내기 위해서는 이온교환수지의 무게 비율을 40% 이상 첨가해야 한다는 것을 확인하였다. 인장강도가 상용화 막보다 높기 위해서는 이온교환수지의 무게 비율을 50% 이하로 첨가해야 한다는 것을 확인하였다. 따라서 화학적 특성과 기 계적 특성을 고려했을 때, PVdF와 이온교환분말의 최적 비율은 60 : 40이며, 이때의 전기저항 1.82 Ω⋅cm-1, 함수율 79%, 이 온교환용량 1.60 meq/g으로 측정되었고 기계적 강도는 0.97 MPa로 측정되었다. 이때, TDS 제거율은 약 40%로 측정되었다.

Nanostructures of ZnO, such as nanowires, nanorods, nanorings, and nanobelts have been actively studied andapplied in electronic or optical devices owing to the increased surface to volume ratio and quantum confinement that theyprovide. ZnO seed layer (about 40nm thick) was deposited on Si(100) substrate by RF magnetron sputtering with power of60 W for 5 min. ZnO nanorods were grown on ZnO seed layer/Si(100) substrate at 95oC for 5 hr by hydrothermal methodwith concentrations of Zn(NO3)2·6H2O [ZNH] and (CH2)6N4 [HMT] precursors ranging from 0.02M to 0.1M. We observed themicrostructure, crystal structure, and photoluminescence of the nanorods. The ZnO nanorods grew with hexahedron shape tothe c-axis at (002), and increased their diameter and length with the increase of precursor concentration. In 0.06 M and 0.08M precursors, the mean aspect ratio values of ZnO nanorods were 6.8 and 6.5; also, ZnO nanorods had good crystal quality.Near band edge emission (NBE) and a deep level emission (DLE) were observed in all ZnO nanorod samples. The highestpeak of NBE and the lower DLE appeared in 0.06 M precursor; however, the highest peak of DLE and the lower peak ofNBE appeared in the 0.02 M precursor. It is possible to explain these phenomena as results of the better crystal quality andhomogeneous shape of the nanorods in the precursor solution of 0.06 M, and as resulting from the bed crystal quality and theformation of Zn vacancies in the nanorods due to the lack of Zn++ in the 0.02 M precursor.

신뢰성 평가 시험은 종종 성능 평가에 장기간의 시간이 요구되며, 전체 생산비용까지 증가시키는 문제점을 안고 있다. 스트레스를 이용한 가속수명시험은 제품의 신뢰성 고장과 밀접한 관련이 있는 고장 메커니즘의 촉진을 통해 고장에 이르는 기간을 단축함으로써 신뢰성 평가의 효율성을 도모할 수 있다. 본 연구에서는 이러한 스트레스 가속 시험에 빈도가속(Usage-Rate Acceleration) 또는 판정가속(Tightening Critical-Values) 등을

일반적으로 LPCVD 방법에 의한 다결정 실리콘 박막은 SiH4가스를 열분해하여 증착한다. 본 실험에서는 다결정 실리콘 박막속에 포함된 산소농도를 낮추기 위하여 실리콘 웨이퍼를 반응로 안으로 장착할 때, 20slm의 N2가스를 반응로의 위에서부터 아래로 flow하였으며 박막의 산소농도를 측정하기 위하여 두께가 1000Å인 박막을 증착한 다음 SIMS로 분석한 결과 반응로의 hatch에 있는 짧은 injector를 통하여 20slm의 N2가스를 flow한 경우보다 박막의 산소농도가 ~30배 정도 낮아짐을 알 수 있었다. 긴 injector를 사용하여 증착된 박막의 두께 균일도, particle 및 Rs를 측정하여 박막증착의 재현성이 있음을 평가하였다.