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pp.17-21
Eu2+ 이온이 도핑된 질화물 형광체 Sr2Si5N8:Eu2+는 탄소열 환원 질화법 (Carbothermal Reduction Nitridation, CRN)을 이용하여 제조된다. X-선 회절분석기를 이용하여 구조를 관찰할 수 있다. 흡수 밴드 피크인 470 nm 는 Photoluminescence Exitation (PLE) 측정을 통해 확인할 수 있다. 이러한 여기 광은 InGaN 기반으로 한 발광다이오 드에 적용시키기에 효과적일 것으로 기대되며, (Sr1-xEux)2Si5N8:Eu2+ 형광체는 Eu2+ 이온 도핑 농도에 따라 628 nm 부터 670 nm 까지의 피크 파장을 얻을 수 있다. Eu2+의 농도가 증가할수록 발광 파장이 길어지는 적색 편이 현상을 관찰할 수 있다. 청색 발광다이오드에 Y3Al5O12:Ce3+ 형광체와 함께 적용하여 우수한 연색성을 갖는 백색광을 얻을 수 있었다.
Eu2+-doped nitride phosphor, Sr2Si5N8:Eu2+, was prepared by the carbothermal reduction and nitridation method. Lattice structure is observed by the X-Ray diffractometer. Absorption band peaking at 470 nm is observed by the photoluminescence exitation measurement. The Sr2Si5N8:Eu2+ phosphor is excited at blue lights in the range of 450 - 470 nm that matches with the InGaN-LEDs. The emission peak position of (Sr1-xEux)2Si5N8 phosphor obtained from 628 to 670 nm with increasing Eu2+ ion concentartion. (Sr1-xEux)2Si5N8 phosphor apply to the blue LED with Y3Al5O12:Ce3+ phosphor which obtained white light of high color rendreing index.
2. 실 험
2.1. 재료의 합성
2.2. 합성된 형광체의 측정
3. 결과 및 고찰
4. 결 론
References
