Eu2+ 이온이 도핑된 질화물 형광체 Sr2Si5N8:Eu2+는 탄소열 환원 질화법 (Carbothermal Reduction Nitridation, CRN)을 이용하여 제조된다. X-선 회절분석기를 이용하여 구조를 관찰할 수 있다. 흡수 밴드 피크인 470 nm 는 Photoluminescence Exitation (PLE) 측정을 통해 확인할 수 있다. 이러한 여기 광은 InGaN 기반으로 한 발광다이오 드에 적용시키기에 효과적일 것으로 기대되며, (Sr1-xEux)2Si5N8:Eu2+ 형광체는 Eu2+ 이온 도핑 농도에 따라 628 nm 부터 670 nm 까지의 피크 파장을 얻을 수 있다. Eu2+의 농도가 증가할수록 발광 파장이 길어지는 적색 편이 현상을 관찰할 수 있다. 청색 발광다이오드에 Y3Al5O12:Ce3+ 형광체와 함께 적용하여 우수한 연색성을 갖는 백색광을 얻을 수 있었다.

투명한 교류 분말형 전계발광 소자는 Electroluminescence (EL) 용 ZnS계 형광체와 시아노 에틸 유기바인더의 첨가량을 달리하여 제작하였다. 전면전극 indium thin oxide(ITO) glass 위에 약 3 μm 크기 의 형광체로 발광층을 형성하여 silver nanowire(Ag NW)를 스핀코팅으로 후면전극 형성 후 연구를 진행 하였다. 본 연구에 제작된 소자의 발광휘도와 투과도을 통해 등황색 계열의 약 585 nm의 주파장 스펙트 럼을 확인하였고 형광체의 첨가량이 낮아질수록 발광휘도가 약 80 %로 감소, 투과도는 약 30 % 증가하 는 것을 알 수 있었다.

본 논문은 Y3Al5O12:Ce3+(YAG:Ce3+) 단결정과 CaAlSiN3:Eu2+(CASN) 형광체에 관하여 연구하였다. 단결정은 floating zone법을 통해 성장시켰다. XRD 측정결과 JCPDS Card(#73-1370)에 상응하며 공간군 la-3d(230)에 속해있고 Cubic 구조로 된 것을 확인할 수 있었다. 단결정의 PL은 550 nm의 발광피크와 반치폭이 71 nm인 넓은 스펙트럼을 나 타냈고 PLE는 350 nm와 460 nm의 피크값을 나타냈다. CASN 분말의 PL은 604 nm, PLE는 460 nm의 피크값을 나타 냈다. CASN을 YAG:Ce3+ 단결정에 코팅하고 blue LED에 적용 후 측정한 결과, 측정한 PL 스펙트럼에서 CASN의 농도 증가에 따라 red shift 현상이 증가함을 알 수 있다. 연색성 또한 YAG:Ce3+ 단결정에서의 Ra는 67, CASN 10 wt%에서 는 78로 개선되는 것을 확인할 수 있었다.