The present study investigates secondary school student athletes’ specific needs for English learning and analyzes correlation and a cause and effect relationship among the needs-related variables. Two hundred forty six student athletes enrolled in physical education. Junior and senior high schools participated in the study. Data were collected through a survey that inquired about the students’ perceived English ability and learning areas of interest, their needs for ESP education, and aspects to be considered for ESP course design. The results show that the students put more emphasis on verbal communication (i.e., on speaking and listening) than on written communication (i.e., on reading and writing) and that they wanted more practical ESP education reflecting their needs and interests. Additionally, there was significant correlation (p<.01) among the subjects’ learning areas of interest, needs for ESP education, and aspects to be considered for ESP course design; a cause and effect relationship among the above three variables was discovered by goodness of fit test for structure equation model. Based on these findings, it is concluded that secondary school student athletes’ perceived English ability and areas of interest for English learning influence both their needs for ESP education and aspects to be considered for ESP course design.

본 연구에서는 발광층의 전자와 정공의 재결합 영역을 확인하고, 단계적 도핑구조를 이용하여 여기자들의 효율적인 분배를 통해 roll-off 효율을 감소시켜서 녹색 인광 유기발광다이오드의 수명 증가 를 나타냈다. 발광층 내 호스트는 양극성의 4,4,N,N'-dicarbazolebiphenyl (CBP)를 사용하여 전하의 이 동을 원활하게 하였다. 발광층을 네 구역으로 분할하여 각각 소자를 제작하였고, 네 구역의 도판트 농도 에 따라 발광효율과 수명 향상을 보였다. 이로써 발광층 내의 단계적 도핑구조를 이용하여 캐리어와 여 기자들이 원활하게 분배된 것을 확인하였다. 기준소자 대비 발광층의 도판트 농도를 5, 7, 11, 9% 순서 로 단계적 도핑구조를 적용한 device C의 수명이 약 73.70% 증가하였고, 휘도 효율은 51.10 cd/A와 외 부 양자 효율은 14.88%의 성능을 보였다.

본 연구에서는 전하 조절층을 이용하여 녹색 인광 유기발광다이오드의 효율의 향상을 나타냈다. 양극성의 4,4,N,N'-dicarbazolebiphenyl (CBP)를 호스트와 전하 조절층으로 사용하여 발광층 내에서 전하의 이동을 원활하게 할 수 있다. 게다가 전하 조절층의 삽입으로 엑시톤을 효과적으로 발광층 내에 제한하여, 삼중항-삼중항 소멸 현상을 억제할 수 있음을 확인하였다. 발광층의 전체 두께는 유지하고, 전하 조절층의 변화를 준 다섯 개의 소자를 제작하여 최적화된 전하 조절층의 두께를 이용한 Device D는 외부 양자 효율 16.22%와 휘도 효율 55.76 cd/A의 성능을 보였다.