2011년 이후 농식품 산업에서 연구개발 기술 자산들에 대한 평가를 수행할 때주도적으로 활용되고 있는 방법이 현금흐름할인(DCF) 방법이었으며, 최근에 종자기술 등과같은 기술자산의 경우에는 기술료 사례 정보를 기반으로 하는 기술평가를 병행하여 수행해오고 있다. 지금까지 알려진 현금흐름할인 방법은 추정되어야 할 입력변수가 많아 기술평가시에 정교한 추정이 요구되고 있다. 또한 기술료 사례 정보를 근거로 하는 거래사례비교 방법이나 업종별 산업표준(industry norm)을 적용할 때에도 평가대상 기술자산과 보다 근사한거래사례가 적용되어야 하는 것은 농식품 산업분야에서도 동일하게 고려되어야 하는 문제이다. 농식품 산업에서 기술평가 시 활용되고 있는 주요입력변수는 경제적 수명주기, 농식품업종 관련 재무적 정보, 할인율, 기술기여율 등이며, 해당 평가기관에서는 기반 정보구축과자료 최신화를 주기적으로 수행해오고 있다. 본 연구에서는 농식품 산업에서의 기존의 기술평가 시 평가결과에 가장 중요한 영향 미치는 주요변수를 탐색하고, 기술평가 입력 정보의 최신화를 통해 도출된 참조 지원정보를 활용하여 기존의 대표 평가사례들의 평가결과가 어떤 변화가 발생하였는지를 분석하였다. 또한입력자료 최신화가 기술평가 결과에 미치는 단편적 정보제공을 보완하기 위한 방안을 제시하면서 기존평가 결과와 자료 현행화 이후의 기술평가 결과를 비교 분석하였다. 이러한 분석을 수행하기 위해서 과거 농식품 산업에서 수행되었던 기술평가 사례를 선별하고 이를 바탕으로 입력변수들에 대한 민감도 분석 방법과 주요 핵심변수를 활용한 시뮬레이션 분석방법을 적용하였다. 본 연구결과는 농식품 분야에서 기술평가 시에 활용되고 있는 입력변수들에대한 자료 최신화 필요성과 핵심입력변수 기반 구축에 대한 중요한 정책적 시사점, 그리고기술가치평가 결과에 대한 보다 유용한 정보를 제공할 수 있을 것으로 기대된다.

시장경제에서 기술경쟁은 기업이 시장 내 경쟁우위를 선점하기 위한 필수요소이자 기술혁신 분야의 한 축으로서, 그 중요성이 점점 커지고 있다. 따라서 기술경쟁에 대한 연구는 끊임없이 진행되어 왔으며, 점점 세분화 되어가고 있다. 우리는 이러한 기술경쟁의 현상을 분석하고, 신기술이 구기술을 대체하는 과정에서 발생되는 구기술의 혁신을 설명한 범선효과에 대해 주목하였다. 선행연구 분석을 통해 범선효과를 연구한 선행연구들이 기술의 경쟁을 시장과 기술의 관점, 혹은 기업과 기술의 관점으로 나누어 분석하였기 때문에 현상을 분석하고 전략을 수립하는데 한계가 있다는 점을 발견하였다. 본 연구에서는 기술, 시장 환경, 특히 경쟁기업을 고려한 새로운 기술경쟁 분석 모형을 제안하였으며, 기술경쟁의 결과를 1)신기술로의 대체, 2)구기술의 유지, 3)신/구기술의 공존, 그리고 4)범선효과 이렇게 네 가지로 나누어 기술 경쟁 결과를 분석하였다. 그리고 본 연구에서는 제안된 분석 모형이 적절한지 판단하기 위해 세 가지 대표 사례에 대해 제안된 기술경쟁 분석 모형을 적용했으며, 분석 모형이 구기술의 퇴출 지연 현상과 관련된 여러 가지 경우를 잘 설명하는 것을 확인할 수 있었다. 본 연구의 결과가 보다 일반화된다면, 기술경쟁의 결과를 예측하거나 관련 전략을 수립하는데 기여할 수 있을 것으로 기대한다.

progressing in widely. Among of theses photoconductor materials, mercuric iodide compound than amorphous selenium has excellent absorption and sensitivity of high energy radiation. Also, the detection efficiency of signal generated in photoconductor film varies by electric filed and geometric distribution according to top-bottom electrode size. Therefore, in this work, the x-ray detection characteristics are investigated about the size of top electrode in HgI photoconductor film. For sample fabrication, to solve the problem that is difficult to make a large area film, we used the spatial paste screen-print method. And the sample thickness is 150μm and an film area size is 3cm×3cm on ITO-coated glass substrate. ITO(Indium-Tin-Oxide) electrode was used as top electrode using a magnetron sputtering system and each area is 3cm×3cm, 2cm×2cm and 1cm×1cm. From experimental measurement, the dark current, sensitivity and SNR of the HgI film are obtained from I-V test. From the experimental results, it shows that the sensitivity increases in accordance with the area of the electrode but the SNR is decreased because of the high dark current. Therefore, the optimized size of electrode is importance for the development of photoconductor based x-ray imaging detector.

최근 광도전체와 형광체 기반의 디지털 방사선 검출기가 많은 관심을 받고 있으며, 이를 상업화 하기위한 많은 연구 들이 이뤄지고 있다. 디지털 방사선 검출기를 제작하는 방법에서 크게 직접변환방식과 간접변환방식이 있다. 본 연구 는 기존에 직접변환방식에 널리 사용되어 지고 있는 비정질 셀레늄(Amorphous seleinum)기반의 디지털 방사선검출 기 보다 좋은 SNR(Signal-to-noise ratio) 동작 특성을 가지는 X선 검출 물질을 제작하여 X선 조사시 두께와 전기장 형성에 따른 차이점을 알아보기 위한 것이다. 본 연구에서는 기존의 진공 증착법이 두꺼운 대면적 필름제조가 어렵다 는 문제점을 해결하고자 Screen-Print Method를 이용하여 전도성을 가진 ITO (Indium-tin-oxide)가 코팅 된 유리 판에 제작하였다. 본 연구에 사용된 X-선 검출물질로는 다결정 HgI2 를 사용하였으며, 시편의 두께를 150μm로 제작 하였으며, 3cm×3cm 크기로 제작하였다. 상부전극은 Magnetron sputtering system을 사용하여 3cm×3cm, 2cm×2cm, 1cm×1cm의 크기로 각각 다르게 하여 ITO(Indium-tin-oxide)를 증착 시킨 후, X선 조사시 HgI2의 민감 도와 누설전류, SNR 등을 측정하여 필름의 전기적 검출 특성을 정량적으로 평가하였으며, I-V테스트는 전류 적분 (integration) 모드를 사용하였다. 그 결과 전극의 크기에 따라 신호량 증가 특성을 확인할 수 있었지만 신호량의 증 가와 동시에 누설전류 또한 증가함으로써 전극의 크기에 따라 오히려 SNR 특성이 감소됨을 확인하였다. 향후 다양한 두께와 최적의 전극물질을 통해 신호대 잡음비를 개선시키기 위한 연구를 통해 최적화해야 할 것이다.