Langmuir-Blodgett(LB) 법은 미래의 분자전자소자를 위한 가장 유력한 수단이며, 이러한 분자박막 소자는 그 성질이 분자는 배향에 영향을 박데 되므로 현재 새로운 물질을 이용하여 분자전자소자의 제작에 있어 관심을 모으고 있다. 본 연구에서는 (N-docosyl quinolinium)-TCNQ(1:2) 전하 이동 착물 LB 막의 분자 배향을 UV/vis 편광흡수 스펙트럼과 FT-IR transmission 및 reflection-absorption 스펙트럼의 흡수강도를 비교하여 정량적으로 평가하였다. 그 결과 TCNQ의 transition dipole moment의 각은 약 56~58。 였으며, 알킬 고리의 경사각은 약 11.1~13。였다. 제작된 Z-형 LB 막의 표면은 고압에서 중앙 높이 차가 3~4Å으로 평탄하였다.

In this study, ultra-thin films of (N-docosyl quinolinium)-TCNQ(1:2) complex were prepared on the hydrophilic substrate by Langmuir-Blodgett(LB) technique. The characteristics of π-A isotherms were studied to find optimum conditions of deposition by varying temperature of subphase, compression speed of barrier and amount of spreading solution. Using UV-vis spectra, capacitance and thickness, deposition of LB films was confirmed together with the thickness of the naturally oxidized aluminum film inside a device and dielectric constant of (N-docosyl quinolinium)-TCNQ(1:2) complex. The dielectric constant of LB film was about 4.59~5.58. The electrical properties of (N-docosyl quinolinium)-TCNQ(1:2) complex were investigated at room temperature. The conductivity of this film measured by the direction of either vertical or horizontal axis was found to have a quite different value.

본 연구에서는 (N-docosyl quinolinium)-TCNQ (1:2) 착물의 LB초박막을 제작하였다. LB막의 누적을 위한 최적조건을 구하기 위하여 subphase 온도, barrier 압축속도 및 분산량을 변화시키면서 표면압-면적(π-A) 등온선 특성을 측정하였다. 그리고 전이비, UV-vis의 최대 흡광도, 정전용량 및 두께를 측정하여 LB막의 누적상태를 확인하였다. 그 결과 분자수준으로 잘 제어된 양호한 LB막이 제작되었음을 알 수 있었다..