고상 반응법에 의해 제조된 Zn1.98Mn0.02SiO4 녹색 형광체에 Ga 원소를 치환시켜 소성온도 및 Ga의 첨가량에 따른 발광특성과 결정특성을 조사하였으나, Zn1.98Mn0.02(Si1-xGax)O4 형광체에 있어서 Ga을 첨가했을 경우가 첨가하지 않은 샘플에 비해 발광특성이 개선되었으며, 8mol%(x=0.08) Ga을 첨가했을 때 발광세기와 색순도에서 가장 우수한 특성을 보였다. Zn1.98Mn0.02(Si1-xGax)O4 형광체(x=0.08)에 대해서 소성온도를 1100˚C에서 1400˚C로 증가함에 따라 결정성이 개선되었으며 발광강도 역시 약 7배 이상 크게 증가하였다. 잔광시간은 Ga 첨가량에 관계없이 약 24 ms로 거의 변화가 없었다. 입도분석 결과 1-3μm의 작은 입자가 주로 관찰되었으며 10μm이상의 큰 응집입자도 소량 존재하였다.