자외선 검출소자로 응용될 수 있는 우수한 특성을 지진 AlxGa1-xN 박막을 MOCVD 법으로 성장시킨 후 박막의 구조적인 특성을 조사하였다. 사파이어 기판 위에 성장된 AlxGa1-xN의 물리적인 특성을 평가하기 위해 Synchrotron Radiation XRD를 사용하였다. AlxGa1-xN의 두께가 커질수록 박막의 결정성은 증가하였으며 아래층은 Undoped GaN의 결정성과 성장된 AlxGa1-xN의 결정성이 서로 비례적인 상관관계를 가지고 있음을 알아내었다. Al 조성비는 막질에 크게 영향을 주었으며 조성비가 높아질수록 표면 형상은 매우 나빠졌다.