대표적인 후행발명 혹은 개량발명들인 광학이 성질체 발명, 결정형 발명, 기타 선택발명들의 특허 성을 판단함에 있어서는, 이들 발명들이 기존의 기 술수준을 향상시킴으로써 기술 발전과 산업의 발 전이라는 특허법적 목적을 충실히 달성하였는지와 기술내용의 공개를 통하여 그 성과를 사회가 공유 할 수 있게 되었는지를 살펴, 출원인에게 기술개발 인센티브로서의 특허권이라는 배타적인 독점권을 부여할지 혹은 후속 발명자의 발명의지를 꺾지 않 도록 공중의 자유이용에 맡겨야 할지 조화롭고 균 형 있는 판단이 요구된다. 일반적인 화학물질 발명에 있어서는 물질 자체 가 발명의 구성에 해당하고, 그 물질을 실제로 제조 하였다는 것이 발명의 효과에 해당하는 경우가 많 이 있어서, 발명자가 원소분석치, 융점, 굴절율 등 그와 같은 구성을 가진 물질을 실제로 제조할 수 있 다는 점을 보이기만 하면 명세서 기재요건으로서의 발명의 효과기재가 있는 것으로 볼 수 있겠지만, 이와는 달리 선택발명은 기본적으로 중복발명이어 서 신규성이 없다고 하여야 할 것임에도 예외적으 로 선행발명이 인식하지 못한 우수한 효과를 가졌 다는 점에서 특허권을 부여하는 것이기 때문에 일 반적인 화학물질발명과는 구별되는 기재요건, 신 규성, 진보성요건을 충족하여야 한다. 선택발명에 있어서 신규성, 진보성에 직접적인 영향을 미치는 명세서 기재 정도에 관한 기준을 명 확히 함은, 궁극적으로 해당발명을 완성한 특허 출 원인의 부담을 경감시키고, 해당특허를 이용 혹은 회피하려는 후행발명자들에게 있어 법적안정성을 제공할 수 있을 것이라고 생각한다.

여기서 논의하고자 하는 의약 또는 화학 분야에서의‘결정다형 발명’또는‘결정형 발명’은 공지된 화합물과 결정 형태만을 달리하는 특정 결정형을 발명의 대상으로 삼은 경우를 말한다. 특허청은 종래 결정형 발명에 관한 독립된 심사기준을 두고있지 않았는데, 이로 인하여 결정형 발명의 명세서 기재요건, 신규성, 진보성 등의 특허등록 요건을 두고 논란이 많았고, 최근 결정형 발명의 출원이 증가함에 따라 등록무효사건의 분쟁 또한 함께 증가하고 있다. 그러한 상황에서 대법원은 최근 결정형 발명의 진보성을 판단하는 기준에 관한 법리를 형성하기에 이르렀다. 결정형 발명은 새로운 결정다형을 분석 또는 조사하는 데 사용된 기술적 수단 즉, 파라미터(parameter)가 특허 출원 시 명세서의 청구항에 함께 기재되는 것이 바람직하고, 발명의 상세한 설명에서는 이를 뒷받침하는 확인자료(데이터 등)가 함께 기재되어야만 특허법 제42조 소정의 명확성 요건을 쉽게 충족시킬 수 있다. 나아가 추가적인 파라미터의 한정을 통해 기존에 널리 알려진 화합물 또는 결정다형과 구별되어야만 발명의 신규성을 인정받을 수 있을 것이다. 발명의 진보성에 있어서는 결정화가 용이한지 여부에 따라 구성을 대비하고, 이질적 효과 또는 현저한 동질적 효과의 존재여부를 판단한 후, 양자를 종합하여 진보성 여부를 판단하여야 할 것이다.

The hydrogen sorption speed of nanocrystalline and amorphous alloys was evaluated at room temperature. Nanocrystalline alloys of were prepared by planetary ball milling. The hydrogen sorption speed of nanocrystalline alloys was higher than that of the amorphous alloy. The enhanced sorption speed of nanocrystalline alloys was explained in terms of surface oxygen stability which has been known to retard the activation of amorphous alloys. The retardation can be reduced by formation of nanocrystals, which results in the observed increase in sorption properties

용융집합조직 YBaCuO 초전도체의 부상력에 미치는 변수들에 대하여 연구하였다. 초전도체의 부상력은 초전도체를 냉각하는 방법, 초전도결정의 방위, 시편의 두께 및 영구자석의 극성변화에 따라 달라짐을 알 수 있었다. 무자력 냉각한 초전도체에서는 큰 부상력과 작은 일력성분의 얻어지는 반면, 자력냉각한 시료에서는 반대의 결과가 얻어졌다. 이는 초전도체내에 포획된 자력양이 서로 다르고, 이들의 외부자장에 대한 상호작용이 다르기 때문인 것으로 판단된다. 초전도체의 부상력은 외부자력의 방향이 초전도결정의 c축과 평행할 경우 (H//c-axis)가 c-축과 수직한 경우(H//ab-axis)보다 부상력이 2-3배 컸다. 표면자력 3500gauss의 영구자석을 사용할 경우 초전도체의 두께가 8mm이상에서 초전도체의 부상력은 거의 일정하나 그 이하의 두께에서는 두께감소에 따라 선형적으로 감소하였다.