Cu-coated CaS:Eu2+을 1000℃에서 1500℃까지 소성하여 합성하였으며, 이를 스크린 인쇄 방법(screen printing method)을 이용하여 전면 전극층(ITO PET film), 형광층(Cu-coated CaS:Eu2+), 절연층(BaTiO3), 배면 전극층(silver)순으로 적층하였다. 1000℃에서 1500℃까지 소성 온도가 올라감에 따라서 형광체의 grain 크기가 증가 하는 것을 SEM 사진을 통하여 확인하였다. 또한 광 발광(Photoluminescence) 측정에서는 1000℃에서 가장 밝은 발광을 보였으며, 온도가 증가함에 따라 점진적으로 감소하는 경향성을 보였으나, 전계 발광 (Electroluminescence)의 경우에는 1400℃에서 가장 좋은 발광 상태를 보였다. 광 발광과 전계 발광의 경향성 차이는 전계 발광 소자에서의 grain 크기 효과 때문이다. grain 크기가 작아지면 sheet 저항이 낮아지며, 이에 따라 가속되는 전자의 에너지가 증가하여 발광 효율을 높여준 것으로 판단된다.

By fabricating the organic light-emitting devices (OLEDs) based on phosphorescent material, the internal quantum efficiency can reach 100%, compared to 25% in the case of the fluorescent material. Thus, the phosphorescent OLEDs have recently been extensively studied and showed higher internal quantum efficiencies then the conventional OLEDs. In this study, we investigated the characteristics of the phosphorescent OLEDs, with the green emitting phosphor, Ir(ppy)3, (tris(2-phenylpyridine)iridium). The devices with a structure of ITO/TPD/Ir(ppy)3 doped in the host material /BCP/Alq3/Li:Al/Al were fabricated, and its electrical and optical characteristics were studied. By changing the doping concentration of Ir(ppy)3, we fabricated several devices and investigated the device characteristics. OLEDs doped into BCP by 10% showed the best characteristics. For 10% doped OLEDs, the maximum luminance of was over 10000 cd/m2, and the maximum power efficiency was 7.14 lm/W.