Si(111)표면위에 Au의 증착량과 기판온도에 따른 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)상(pattern)과 RHEED상의 회절반점(spot)강도변화를 이용하여 조사하였다. Si(111) 7×7구조를 Au 를 0.1ML-0.4ML증착후에 기판을 350˚C-750˚C로 수초간 가열하면 7×7구조에서 7×7 + 5×2의 혼합 구조로 변화하였으며 증착량 0.4ML-1.0ML에서는 RHEED상이 기판온도와 증착량에 따라 5×2,α- √3 × √3,β- √3 × √3의 구조들이 관찰되었다. 6×6구조는 기판온도 270˚C-370˚C에서 증착량 0.8ML에서부터 형성되기 시작하여 1ML에서 완성되었다. AES(Auger Electron Spectroscopy)를 이용한 α- √3 × √3,5 × 2구조에서의 Au원자의 이탈과정 조사에서 이탈 에너지는 각각 79kcal/mol, 82kcal/mol로 조사되었다.