순도가 자기적 임계현상에 어떠한 영향을 주는가를 보기 위해 여러 순도의 니켈에서 비저항의 온도의존성을 관찰하였다. 비저항은 Lock-In 증폭기를 사용하여 교류저항측정법으로 측정하였으며 시료를 솔레노이드식으로 감아 저항부분과 인덕터부분의 신호를 함께 관찰할 수 있도록 하였다. 큐리온도는 이들 신호들이 갑작스럽게 변하는 온도로 결정하여UT으며 저항부분과 인덕터부분의 신호에서 결정한 큐리온도값들은 서로 잘 일치함을 볼 수 있었다. 비저항의 온도에 따른 일차미분에서 비열의 임계지수를 결정하였으며 큐리온도와 마찬가지로 임계지수의 순도의존성은 실험오차내에서는 없음이 관찰되었다.

Si(111)표면위에 Au의 증착량과 기판온도에 따른 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)상(pattern)과 RHEED상의 회절반점(spot)강도변화를 이용하여 조사하였다. Si(111) 7×7구조를 Au 를 0.1ML-0.4ML증착후에 기판을 350˚C-750˚C로 수초간 가열하면 7×7구조에서 7×7 + 5×2의 혼합 구조로 변화하였으며 증착량 0.4ML-1.0ML에서는 RHEED상이 기판온도와 증착량에 따라 5×2,α- √3 × √3,β- √3 × √3의 구조들이 관찰되었다. 6×6구조는 기판온도 270˚C-370˚C에서 증착량 0.8ML에서부터 형성되기 시작하여 1ML에서 완성되었다. AES(Auger Electron Spectroscopy)를 이용한 α- √3 × √3,5 × 2구조에서의 Au원자의 이탈과정 조사에서 이탈 에너지는 각각 79kcal/mol, 82kcal/mol로 조사되었다.

이 short note에서 우리는 bulk gadolinium의 강자성에서 상자성으로의 전이온도(즉, Curie점) 측정에 대한 결과를 보고하고자 한다. 이 결과보고는 gadolinium박막에 대한 이전의 결과에 정당성을 주기 위해서 쓰여졌다. 본 실험에서 bulk gadolinium의 Curie점은 시료의 저항을 온도의 함수로 측정함으로써 결정하였다. 이는 Curie점에서 비열의 특이성이 바로 비저항의 특이성으로 연결되기 때문이다. 결과적으로 우리는 bulk gadolinium의 Curie점이 19.2±0.3˚C가 되고이 값은 비열의 실험치로 결정한 다른 그룹들의 실험값들과 잘 일치하고 있음을 알 수 있었다.

Si(111) 표면위에 Si을 homepitaxial 성장시킬때 중간 금속인 Ag, Sn등을 흡착시키지 않을 경우와 흡착시킬 경우 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)상의 경면반사점(specular spot)강도의 주기적 변화를 관찰함으로써 두 경우의 Si결정성장 과정의 차이점을 관찰하였다. 중간금속을 흡착하지 않을 경우 성장 초기에는 흡착Si원자가 Si(111) 7×7 구조의 Stacking Fault층을 먼저 채우고난 후 정상적인 충상성장을 하기 때문에 성장초기에는 불규칙적인 진동을 나타내다가 약 6ML정도부터 주기적인 진동으로 바뀜이 관찰되었다. 그러나, 중간금속인 Ag, Sn을 Si(111)위에 1ML흡착시키면 Ag의 경우 300~600˚C, Sn의 경우 190~860˚C의 시료온도에서 표면구조가 √3×√3구조로 바뀜이 RHEED상으로 관찰되었다. 그리고 난 후에 Si을 흡착시킬 경우 RHEED 상의 경면반사점 강도는 초기부터 주기적일 변화를 가짐이 관찰되었으며√3×√3구조는 변함이 없었다. 또한 보다 낮은 시료 온도에서 많은 진동이 관찰되었다. 이는 중간금속이 성장표면쪽으로 편석하면서 흡착원자 Si의 표면확산에 대한 활성호 에너지를 감소시켜 주기 때문이라 생각된다.

Gd박막의 강자성-상자성 상전이 온도(Tc)이동을 조사했다. 강자성-상자성 상전이 온도에서 전기저항이 변화되는 변곡점을 관측하여 Tc를 결졍하였는데, 두께가 6600Å인 Gd박막의 상전이 온도는 bulk상태의 Gd의 전이온도보다 4±0.3˚C정도 아래로 이동됨을 알았다. 이것은 강자성 Gd박막의 Tc이동에 대한 최초의 측정이며, 실험과 finite-sime scaling이론을 비교 분석했다.