PCB 제조에서 photoresist와 Copper Clad Laminate(CCL)의 구리표면과의 부착력을 항상시 키기 위하여 사용되는 soft etching제를 제조하기 위하여 과산화수소 사용을 배제하고, 유기산과 유기과 산화물을 이용하여 산의 종류, 농도, 에칭시간 등에 따른 구리표면의 에칭속도, 표면 조도, 및 오염도 등 을 조사하였다. 또한 에칭 후의 표면의 얼룩을 제거하기 위한 안정제의 최적 배합 및 농도도 확립하였 다. 본 연구 결과 유기산의 종류 중에서는 아세트산이 초기 구리 에칭속도가 가장 빨랐으며, 농도가 0.04 M이었을 때 0.4 μm/min이였다. 유기과산화물인 APS의 농도는 높을수록 에칭속도가 가장 빨랐으나, 표면 오염이 심각하였다. 안정제 용액의 조성도 표면 오염도에 큰 영향을 주었다. 결과적 0.04 M 아세 트산, 0.1M APS에 4 g/L의 안정제(ST-1)를 첨가한 에칭액의 경우 0.37 μm/min의 에칭속도와 표면 오염이 전혀 없으며, 표면 조도도 가장 우수하였다. 즉, CCL과 photoresist와 접착력을 향상시킬 수 있 을 것으로 판단된다.

In the microelectronics packaging industry, the adhesion strength between Cu and polyimide and the thermal stability are very important factors, as they influence the performance and reliability of the device. The three different buffer layers of Cr, 50%Cr-50%Ni, and Ni were adopted in a Cu/buffer layer/polyimide system and compared in terms of their adhesion strength and thermal stability at a temperature of 300˚C for 24hrs. A 90-degree peel test and XPS analysis revealed that both the peel strength and thermal stability decreased in the order of the Cr, 50%Cr-50%Ni and Ni buffer layer. The XPS analysis revealed that Cu can diffuse through the thin Ni buffer layer (200Å), resulting in a decrease in the adhesion strength when the Cu/buffer layer/polyimide multilayer is heat-treated at a temperature of 300˚C for 24hrs. In contrast, Cu did not diffuse through the Cr buffer layer under the same heat-treatment conditions.