Al-Si/SiCp 복합재료 용탕에서 SiC 입자의 침강

김종찬; 권혁무

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Al-Si/SiCp 복합재료 용탕에서 SiC 입자의 침강 KCI 등재 SCOPUS

Settling of SiC Particlesin the Al-Si/SiCp Composite Melts

김종찬, 권혁무

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295139

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제7권 제2호 (1997.02)
pp.145-151

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

AI-xSi/ySiC( x:6~18wt%, y: 3~9wt%, SiC 입자크기: 10~28μm) 복합재료를 재용해한 후 항온 유지하고 응고 시킬때 SiC 입자가 몰드의 하부로 침강하는 현상을 계통적으로 조사하였다. AI-Si/SiC 복합재료 용탕을 항온으로 유지하면 입자가 없는 지역은 유지시간이 약 처음 30분 동안 빠르게 증가한다. SiC 입자가 크기가 클수록 SiC입자의 크기가 클수록 SiC입자의 침강속도가 빠르다. 또한 복합재료중 철가한 SiC 입자의 부피분율이 증가하면 입자의 침강속도는 감소한다.

저자

김종찬 | Kim, Jong-Chan
권혁무 | 권혁무

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