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반도체 메모리 소자 응용을 위한 TaSiN 확산 방지층의 산화 저항성 KCI 등재 SCOPUS
Oxidation resistnace of TaSiN diffusion barrier layers for Semiconductor memory device application
신웅철, 이응민, 최영심, 최규정, 최은석, 전영아, 박종봉, 윤순길
- 언어KOR
- URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295770
4,900원
한국재료학회지
(Korean Journal of Materials Research)
제10권 제11호 (2000.11)
pp.749-764
pp.749-764
한국재료학회
(Materials Research Society Of Korea)
초록
약 90 nm 두께의 비정질 TaSiN박막을 poly-Si and SiO2/Si 기판 위에 rf magnetron sputtering법으로 증착하였다. TaSiN박막은 산소부위기에서 열처리 시 900˚C까지 결정화되지 않는 비정질 상을 보였다. 산소의 확산 깊이는 산소분위기 열처리 온도가 증가함에 따라 증가하였으며 650˚C, 30분 열처리시 Ta23Si29N48의 경우 약 20 nm의 깊이까지 확산되었다. Ta23Si29N48 박막의 증착 후 비저항은 약 1,300μΩ-cm의 값을 보였지만 산소분위기 열처리시 700˚C 이상에서 급격히 증가하였다.
키워드
amorphousdiffusionresistivity
저자
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