Paying critical attention to the concept of ‘transportation’ and ‘circulation’, this essay examines the collection status of vocabulary in bilingual dictionaries of various languages in early-modern East Asia. By doing so, it follows the trajectory of translingual practice, and clarifies a part of the transition of modern East Asian civilization. The research method in this study is as follows. First, it confirms the concepts of ‘交通 (kotsu, kyothong)’ and ‘流通 (ryutsu, yuthong)’ by defining a monolingual dictionary in Japanese and Korean. Next, it selects words representing each concept after investigating the translation (English) of a modern Japanese-English dictionary and Korean-English dictionary. The translated words corresponding to those representing the concepts are extracted from some major early-modern bilingual dictionaries of Japanese and Korean. It, then, analyzes the aspect of changes from the late 19th century to the early 20th century by looking into the translations of those extracted (Japanese and Korean). Based on the above-mentioned research and analysis, it reveals significant developmental characteristics in translating the concept of ‘transportation’ and ‘circulation’ in East Asia.

본 연구에서는 일본에서 중국 지명과 인명을 어떻게 표기하고 읽는지에 대해서 한자문명의 공통자산으로서 한자에 대한 인식을 중심으로 고찰한다. 먼저 일본어 안에는 음성언어가 한자를 중심으로 한 문자언어와 상호보완적인 의존관계에 있음을 확인한다. 그리고 한자가 일본어 안에서 시니피앙(signifiant)으로서 갖는 위상과 기능을 검토하고 그것이 중국 고유명사를 어떻게 적고 읽을 것인지를 결정하는 문제와 직결됨을 확인한다. 마지막으로 근대 이후 일본에서 중국의 인명과 지명을 어떻게 표기하였으며 그것은 어떻게 변화하였는가하는 역사적 경위를 살펴본다. 또한 동아시아 한자 문화권 안의 서로 다른 언어권 간에 지명과 인명을 차용할 때에 한자음을 취할 것인가 현지음을 취할 것인가라는 문제의 성질에 대해서도 고민해 본다.

약 90 nm 두께의 비정질 TaSiN박막을 poly-Si and SiO2/Si 기판 위에 rf magnetron sputtering법으로 증착하였다. TaSiN박막은 산소부위기에서 열처리 시 900˚C까지 결정화되지 않는 비정질 상을 보였다. 산소의 확산 깊이는 산소분위기 열처리 온도가 증가함에 따라 증가하였으며 650˚C, 30분 열처리시 Ta23Si29N48의 경우 약 20 nm의 깊이까지 확산되었다. Ta23Si29N48 박막의 증착 후 비저항은 약 1,300μΩ-cm의 값을 보였지만 산소분위기 열처리시 700˚C 이상에서 급격히 증가하였다.

Metal/ferroelectric/insulator/semiconductor(MFIS)-Field Effect Transistor을 위한 Pt/YMnO3/Y2O3/Si 구조를 제조하여 MFIS 구조의 특성에 미치는 Y2O3박막의 영향을 고찰하였다. PLD법을 이용하여 p=type Si(111) 기판 위에 증착시킨 Y2O3박막은 증착온도와 관계없이 (111)방향으로의 우선배향성을 갖고 결정화 되었다. 실리콘 위에 바로 MOCVD법에 의해 강유전체 YMnO3박막을 증착시킨 경우 실리콘과의 계면에서 Mn이 부족한 층이 형성되지만 Y2O3가 실리콘과 YMnO3사이에 삽입된 경우는 Y2O3바로 위에서부터 화학양론비에 일치하는 양질의 YMnO3박막을 얻을 수 있었다. 850˚C, 100mtorr의 진공분위기에서 열처리한 YMnO3박막은 Y2O3가 삽입된 경우 memory window 값이 Y2O3가 삽입되지 않은 경우보다 더 큰 값을 보였으며 5V에서 1.3V의 값을 보였다.