약 90 nm 두께의 비정질 TaSiN박막을 poly-Si and SiO2/Si 기판 위에 rf magnetron sputtering법으로 증착하였다. TaSiN박막은 산소부위기에서 열처리 시 900˚C까지 결정화되지 않는 비정질 상을 보였다. 산소의 확산 깊이는 산소분위기 열처리 온도가 증가함에 따라 증가하였으며 650˚C, 30분 열처리시 Ta23Si29N48의 경우 약 20 nm의 깊이까지 확산되었다. Ta23Si29N48 박막의 증착 후 비저항은 약 1,300μΩ-cm의 값을 보였지만 산소분위기 열처리시 700˚C 이상에서 급격히 증가하였다.