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Si (001) 기판에서 N2처리에 의해 형성된 에피택셜 C49-TiSi2상의 열적 거동과 결정학적 특성에 관한 연구 KCI 등재 SCOPUS
Thermal Behavior and Crystallographic Characteristics of an Epitaxial C49-TiSi2 Phase Formed in the Si (001) Substrate by N2Treatment
한국재료학회지
(Korean Journal of Materials Research)
제11권 제2호 (2001.02)
pp.88-93
pp.88-93
한국재료학회
(Materials Research Society Of Korea)
초록
N2처리에 의해 Si (001) 기판에 형성된 C49상의 구조를 갖는 에피택셜 TiSi2상의 열적 거동과 결정학적 특성을 X선 회절법 (XRD)과 고분해능 투과전자현미경법 (HRTEM)으로 조사하였다. 에피택결 C49-TiSi2상은 1000˚C 정도의 고온에서도 안정상인 C54상으로 상변태하지 않고 형태적으로도 고온 특성이 우수하다는 것이 밝혀졌다. HRTEM 결과로부터 에피택결 TiSi2상과 Si 사이의 결정학적 방위관계는 (060) [001]TiSi2//(002) [110]Si임을 알 수 있었고 계면에서의 격자 변형에너지는 misfit 전위의 형성에 의하여 해소되는 것을 확인할 수 있었다. 또한 HRTEM상의 해석과 원자 모델링을 통하여 Si에서 에피택셜 C49-TiSi2상의 형성기구와 C49상의 (020) 면에 존재하는 적층결함을 고찰하였다.
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