Most of the odorous substances generated in public environment facilities are treated using a local exhaust ventilation system. This study assessed the leakage of odorous substances by measuring design criteria, collected air volume, and complex odor in the unit process of sewage treatment facilities. The closer the guideline/design operation airflow ratio of each odor source is to 1.0, the more identical the guideline:design:operation airflow. The average air volume ratio of the facilities under the study was 0.95~0.99 for the MBR process and 0.29~0.68 for the BNR process. As a result of comparing the types of wastewater treatment processes, the leakage of odorous substances was about 9.7 times higher in the BNR process (192,732 m3/min) than in the MBR process (19,838 m3/ min). In this study, it was found that the following two means are important for the proper collection and prevention of odorous substances. The first is the estimation of collection air volume with consideration to the characteristics of the odor source (temperature, odor generation condition, etc.). The second is the design and operation of the local exhaust ventilation system.

본 연구에서는 GaAs 소자제작 및 epi-layer 성장 공정에 있어 이용되어지는 HCI, H3PO4, 탈이온수(de-ionized water:DIW)를 통한 습식제정후 공기중 노출에 따른 오염을 최소화하여 표면상태 변화를 진성적(intrinsic)으로 관찰하고자 모든 세정처리를 아르곤 가스(argon gas)로 분위기가 유지되는 glove box에서 수행하였으며, 표면조성 및 결합상태 변화에 대한 관찰은 X-선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy)를 통해 이루어졌다. 고진공하에서 GaAs를 벽개하여 관찰함으로써 Ga이 대기중 산소이온과 우선적으로 결합함을 알 수 있었고, 이런 GaAs 표면의 반응성에 대한 고찰을 바탕으로 습식세정에 따른 화학반응 기구가 제시 되어졌다. HCI 및 H3PO4/DIW/HCI처리후 CI-이온의 Ga 이온과의 반응에 의한 Ga-CI결합의 형성과 As 산화물의 높은 용해도에 따른 As 산화물의 완전한 제거 및 식각전 초기(bare)GaAsvyaus에 존재하는 원소(elemental)As 상태의 식각후 잔류가 관찰되어졌다. 또 HCI, H3PO4/DIW/HCI 처리하고 DIW로 세척후 표면상태 변화를 관찰한 결과, DIW처리에 의해 elemental As 상태가 증가함을 알 수 있었다.