4,4'(hexafluoroisopropylidene) diphthalic anhydride (6FDA)와 4,4'-oxydianiline (ODA)로부터 용해성이 있는 폴리이미드인 chloromethylated polyimide(CPI)를 합성하고 이를 chloromethylmethyl ether로 hloromethylatation 시켰 다. 다음 CPI를 1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene(DBU) 촉매 존재하에서 carboxy-terminated PEG와 반응함으로써 PEG-grafted polyimide를 합성하였다. 합성된 고분자는 1H-NMR, FT-IR, DSC, TGA 등으로 구조 분석하였다. PEG-grafted polyimide의 고분자 고체전해질로의 응용을 위해 lithium trifluoromethanesulfonate와 lithium perchlorate 등의 리티움염을 섞은 후 impedance spectroscopy를 이용하여 이온전도도를 측정하였는데 그 결과 상온 에서 10-5 ~ 10-6 S/cm 정도의 전도도를 얻었다.

방향족 에스터를 메조겐 구조로 하고 양 말단에 양이온 광중합이 가능한 에폭시 관능기가 포함된 새로운 에 폭시계 액정 단량체를 합성하였고 이의 구조를 1H-NMR, IR, 등을 이용하여 확인 하였다. 알킬 스페이서의 길이가 다른 두 가지 액정 단량체의 액정 특성은 편광현미경과 DSC를 사용하여 확인하였으며, 그 결과 2MPBE의 TCN은 82 ℃에서 나타났고 TNI는 195 ℃에서 나타났으며, 4MPBE의 TCN은 88 ℃에서, TNI는 168 ℃에서 각각 관찰되었다. 편 광현미경으로 관찰한 액정상은 상기 액정 온도에서 Schlieren texture를 보이는 nematic 액정임을 확인하였다. 또한 합성된 액정 단량체를 용매에 녹여 양이온성 광개시제로서 diphenyliodonium hexafluorophosphate를 액정 단량체 대 비 10 wt% 가한 후 유리 기판에 스핀코팅하고 88 ℃에서 광조사를 통해 경화하여 위상지연 필름을 얻었으며, 제조 한 위상지연필름과 상업적 단량체인 RM257로부터 제조된 필름의 위상 지연 값을 측정한 결과 각각 153.08 nm와 150.49 nm 임을 알 수 있었다. 또한 필름의 두께와 위상지연 값으로부터 계산된 복굴절률은 (Δn) 0.172로 시판 중인 RM257(Merck 사)의 복굴절률과 비슷(Δn=0.173)한 값을 가짐을 알 수 있었다.

There has been an increase of using Bosch Process to fabricate MEMS Device, TSV, Power chip for straight etching profile. Essentially, the interest of TSV technology is rapidly floated, accordingly the demand of Bosch Process is able to hold the prominent position for straight etching of Si or another wafers. Recently, the process to prevent under etching or over etching using EPD equipment is widely used for improvement of mechanical, electrical properties of devices. As an EPD device, the OES is widely used to find accurate end point of etching. However, it is difficult to maintain the light source from view port of chamber because of contamination caused by ion conflict and byproducts in the chamber. In this study, we adapted the SPOES to avoid lose of signal and detect less open ratio under 1 %. We use 12inch Si wafer and execute the through etching 500um of thickness. Furthermore, to get the clear EPD data, we developed an algorithm to only receive the etching part without deposition part. The results showed possible to find End Point of under 1 % of open ratio etching process.