저손실 망간징크 페라이트에서 CaO-SiO2첨가는 입계에 높은 전기저항층을 형성시켜 와류에 의한 손실을 감소시키는 것으로 알려져 있다. 본 실험에서는 Nb2O5 를 제 3의 첨가제로 사용하여 저손실 망간징크 페라이트에서의 전자기적 물성변화를 관찰하였다. Nb2O5 300ppm 이상 첨가시 부분적인 과대입자 성장이 관찰되었으며, 200ppm 첨가시 CaO-SiO2만 첨가한 시편에 비하여 밀도가 증가하였다. Nb2O5 첨가시에는 100ppm 이하의 SiO2첨가에서 우수한 전력손실 특성이 나타났으며, 고온 소결시 Nb2O5-CaO를 첨가한 시편에서 낮은 전력손실을 나타내었다.