본 연구에서는 TiO2 나노입자로 표면침적된 polyethersulfone (PES) 정밀여과 분리막이 자연유기물로 인한 분리막 막힘현상(파울링)에 미치는 영향을 관찰하였다. TiO2 나노입자로 표면침적된 PES 정밀여과 분리막의 자연유기물 파울링 거동에 TiO2 나노입자의 결정구조와 용액의 pH 그리고 Ca+2이 미치는 영향을 관찰하였다. 연구결과, TiO2 나노입자로 표면 개질된 정밀여과 분리막은 자연유기물에 의한 파울링 현상을 현저하게 감소시킬 수 있음을 확인 할 수 있었다. 그러나 이와같은 현상은 TiO2 나노입자의 결정구조와 용액의 성상에 매우 의존하는 것으로 나타났다. 자연유기물 파울링의 감소는 결정구조가 상대적으로 불안정한 anatase TiO2 나노입자를 분리막에 표면침적 시, 용액 중 Ca+2이 존재하지 않을 때 상대적으로 높은 pH에서 효과적인 것으로 관찰되었다. 그러나 Ca+2의 첨가 시 이와 같은 효과는 높은 pH에서 더욱 증가할 수 있음을 확인할 수 있었다. 반면, 결정구조가 상대적으로 안정한 rutile TiO2 나노입자의 경우 자연유기물의 파울링 감소는 용액의 조성에 큰 영향을 받지 않는 것으로 나타났다.

Silicon dioxide as gate dielectrics was grown at 400˚C on a polycrystalline Si substrate by inductively coupled plasma oxidation using a mixture of O2 and N2O to improve the performance of polycrystalline Si thin film transistors. In conventional high-temperature N2O annealing, nitrogen can be supplied to the Si/SiO2 interface because a NO molecule can diffuse through the oxide. However, it was found that nitrogen cannot be supplied to the Si/SiO2 interface by plasma oxidation as the N2O molecule is broken in the plasma and because a dense Si-N bond is formed at the SiO2 surface, preventing further diffusion of nitrogen into the oxide. Nitrogen was added to the Si/SiO2 interface by the plasma oxidation of mixtures of O2/N2O gas, leading to an enhancement of the field effect mobility of polycrystalline Si TFTs due to the reduction in the number of trap densities at the interface and at the Si grain boundaries due to nitrogen passivation.