Mg2SiO4 열형광체에 란탄계 금속 Tb, Tm, La, Ho, Dy 및 Nd를 활성체로 첨가하여 열형광체를 제작했으며, Peak shape법으로 활성화에너지를 계산한 결과 0.53-1.77eV였으며, 발광과정의 차수는 전부 2차였다. 저 에너지 X-선에 대해 매우 높은 감도를 나타내었으므로 방사선 센서 소자로 개발하기 위한 기초 자료가 될 것이다.

MgB4O7 열형광체의 활성체는 란탄계 금속인 Tb, Tm, Dy, La, Ho 및 Nd를 첨가하여 580˚C의 Ar 분위기에서 2시간동안 소결하여 제작하였다. 활성화에너지와 glow 곡선의 주 Peak의 세기는 peak shape법과 초기상승법의 두방법에 의해 결정했으며, 최적활성에너지는 0.76±0.02eV(Tm 첨가시), 0.94±0.03eV(Tm 첨가시) 및 0.72±0.02eV(Dy 첨가시)였다. 이들 열형광체들은 저 에너지 X-선에 대해 매우 높은 감도를 나타냈으므로 방사선 센서 소자로 개발하기 위한 기초자료가 될 것으로 생각된다.