연구에서는 새로 설계한 고분자 절연체 위에 전자 주개(Donor)-받개(Acceptor) 기반의 반도체성 공중합체인 Cyclopentadithiophene-alt-benzothiadiazole (CDT-BTZ)를 활성 반도체층으로 형성하여 제작한 고분자 반도체 전계효과 트랜지스터의 전기적 특성을 살펴보았다. 이 연구에서 제시하는 고분자 절연체 박막은 내열성과 전기절연성이 우수한 포스파젠과 멜리민 구조가 가교된 형태를 가지기 때문에 0.006 nm의 매우 평탄한 RMS 표면 거칠기를 가졌으며, 4.5 MV/cm 이상의 매우 우수한 절연강도와 1.55의 다소 낮은 유전 상수를 가진 것으로 측정되었다. 그리고, 고분자 절연 막과 계면을 이루는 CDT-BTZ D-A 타입 반도체성 공중합체 박막은 2.0 x 10-3 cm2/Vs의 선형영역 이동도와 1.0 x 10-3 cm2/Vs의 포화영역 이동도를 갖는 것으로 측정되었다. 이를 통해, 고분자 절연체 위에 형성된 CDT-BTZ 고분자 반도체 박막은 유연 전자회로의 스위칭 소자로 쓰이기에 충분한 잠재성이 있다고 여겨진다.
본 연구는 광전환필름에 의해 변형된 태양광 하에서 채소류의 묘소질과 광합성 특성에 미치는 영향을 구명하기위해 수행 되었다. 상추와 배추, 오이 종자를 원예용 상토로 충진된 50구 플러그 트레이에 파종하고, 광전환 필름(SCF)과 상업용 폴리 에틸렌 필름(대조군) 하에서 재배하였다. 대조군 대비 SCF에 투과된 태양광 스펙트럼은 청-녹색광은 감소하고, 적색광은 증가했으며 R/FR 비와 R/B 비가 증가하여 묘의 광합성과 생육, 형태형성 측면에서 영향을 미치기에 충분한 수준이었다. 광합성속도는 SCF 하에서 자란 배추와 오이 묘에서 유의적으 로 증가했으며, 최대 광합성속도는 각각 23%, 19% 높게 나타 났다. 상추의 경우, SCF 처리구에서 생육이 유의적으로 감소 하였으며 도장하였다. SCF 필름 하에서 자란 배추의 경우, 형태적인 차이는 없었으나 잎의 건물중이 증가하여 묘의 충실도가 유의적으로 증가했고 왜화율은 10%로 나타났다. SCF 처리구의 오이 묘는 생육에 차이는 없었으나 엽병 및 초장이 유의적으로 감소하여 왜화율이 24%로 높게 나타났다. 결론적 으로 SCF에 의해 변형된 태양광 스펙트럼은 배추와 오이 묘의 광합성 효율을 증가시키고 묘소질을 향상시켰다고 판단되었다.
Flexible dye-sensitized solar cells using binder free TiO2 paste for low temperature sintering are developed. In this paste a small amount of titanium gel is added to a paste of TiO2 nanoparticle. Analysis of titanium gel paste prepared at 150 ℃ shows that it has a pure anatase phase in XRD and mesoporous structure in SEM. The formation of the titanium gel 1- 2 nm coated layer is confirmed by comparing the TEM image analysis of the titanium gel paste and the pristine paste. This coating layer improves the excited electron transfer and electrical contact between particles. The J-V curves of the organic binder DSSCs fabricated at 150℃ shows a current density of 0.12 mA/cm2 and an open-circuit voltage of 0.47 V, while the titanium gel DSSCs improves electrical characteristics to 5.04 mA/cm2 and 0.74 V. As a result, the photoelectric conversion efficiency of the organic binder DSSC prepared at low temperature is as low as 0.02 %, but the titanium gel paste DSSCs has a measured effciency of 2.76%.
The improvement of dispersion stability for the primary polishing slurry in a CMP process is achieved to prevent defects produced by agglomeration of the slurry. The dispersion properties are analyzed according to the physical characteristics of each silica sol sample. Further, the difference in the dispersion stability is confirmed as the surfactant content. The dispersibility results measured by Zeta potential suggest that the dispersion properties depend on the content and size of the abrasive in the primary polishing slurry. Moreover, the optimum ratio for high dispersion stability is confirmed as the addition content of the surfactant. Based on the aforementioned results, the long-term stability of each slurry is analyzed. Turbiscan analysis demonstrates that the agglomeration occurs depending on the increasing amount of surfactant. As a result, we demonstrate that the increased particle size and the decreased content of silica improve the dispersion stability and long-term stability.
애벌레의 번지점프는 포식자로부터 몸을 지키기 위한 방어 전략이다. 본 연구는 애벌레가 어떠한 감각 자극에 반응하여 번지점프를 하는지 확인하기 위한 연구이며, 본 연구를 수행하기 위해 2018년 목포대학교 승달산 부근에서 애벌레를 채집하여, 시각(애벌레 시야로 접근), 바람(일정한 세기를 위해 선풍기를 이용한 바람), 촉각(애벌레의 몸을 나뭇가지로 자극)에 대한 반응(번지점프)을 조사하였다. 조사결과 28종 78마리의 애벌레가 방어 전략으로 번지점프를 사용하였다. 또한 애벌레의 자극에 대한 번지점프를 비교해 본 결과 시각, 바람에 반응을 보이는 빈도수가 촉각에 비해 현저하게 적게 나타나는 것을 실험적으로 확인하였다. 애벌레의 번지점프가 포식자로부터 몸을 지키기 위한 생존전략이라는 것을 추가적으로 검증하기 위해 포식자(개미로 가정)가 접근 시 발생하는 진동(포식자가 접근할 때 표면에 나타나는 진동)과 포식자와의 접촉(개미가 애벌레에 접촉)에 대한 애벌레의 반응을 조사하였다. 실험 결과 포식자가 접근 시 발생하는 진동보다는 포식자의 접촉(촉각)이 애벌레의 번지점프를 유도한다는 사실을 확인하였다. 두 실험결과에서 간접적인 자극인 시각, 바람, 진동보다 직접적인 자극인 촉각에 보이는 반응이 현저하게 높게 나타난다. 이는 애벌레의 번지점프는 애벌레와 포식자의 접촉이후 보이는 최종적인 애벌레의 방어 전략이라는 것을 시사하고 있다.
본 연구에서는 피식자의 flash display와 크기에 따른 생존율을 확인하였다. Flash display는 생물체가 가지는 방어 기작 중의 하나로, 피식자가 포식자로부터 도망을 갈 때, 예를 들어, 개구리 다리 안쪽의 색이 몸 색과 다른 경우나, 속날개의 색이 겉날개의 색과 다른 경우(ex. 뒷날개나방) 포식자에게 시각적으로 큰 혼란을 주어 생존율을 높이는 방어 기작 이다. 이를 연구하기 위해 visual studio enterprise 6.0프로그램으로 피식자의 크기와 색을 변경 가능 하게한 시뮬레이션을 만든 후 사람을 포식자로 설정하여 일반인 총 120명, 연령대는 10~50대 중 후반을 대상으로 실험 하였다. 실험 결과로 flash display를 사용하는 피식자의 생존율이 그렇지 않은 피식자 보다 높을 것으로 예상 하였고, 크기는 작을수록 더욱 유리 할 것으로 예측 하였다. 조사 결과 피식자의 크기와 색이 생존율과 상관관계에 있다는 것과 flash display 효과가 피식자의 생존율을 더욱 높여주었음을 발견하였다. 또한 flash display의 색이 주변 환경(이번 실험에서는 녹색 계통의 풀숲을 사용하였다.)과 확실하게 다른 색(녹색 계통의 색이 아닌 색)을 띄는 개체의 생존율이 flash display를 사용하지 않은 개체 보다 월등히 높았음을 확인하였다. 이는 Flash display가 피식자의 생존율을 높이는 요인이라는 것을 시사하고 있다.
An effective cleaning method for Ni removal in Ni-induced lateral crystallization(Ni-MILC) poly-Si TFTs and their electrical properties are investigated. The HCN cleaning method is effective for removal of Ni on the crystallized Si surface, while the nitric acid treatment results decrease by almost two orders of magnitude in the Ni concentration due to effective removal of diffused Ni mainly in the poly-Si grain boundary regions. Using the HCN cleaning method after the nitric acid treatment, re-adsorbed Ni on the Si surfaces is effectively removed by the formation of Ni-cyanide complexions. After the cleaning process, important electrical properties are improved, e.g., the leakage current density from 9.43 × 10−12 to 3.43 × 10−12 A and the subthreshold swing values from 1.37 to 0.67 mV/dec.
5 nm-thick SiO2 layers formed by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) are densified to improve the electrical and interface properties by using nitric acid oxidation of Si (NAOS) method at a low temperature of 121 oC. The physical and electrical properties are clearly investigated according to NAOS times and post-metallization annealing (PMA) at 250 oC for 10 min in 5 vol% hydrogen atmosphere. The leakage current density is significantly decreased about three orders of magnitude from 3.110 × 10−5 A/cm2 after NAOS 5 hours with PMA treatment, although the SiO2 layers are not changed. These dramatically decreases of leakage current density are resulted from improvement of the interface properties. Concentration of suboxide species (Si1+, Si2+ and Si3+) in SiOx transition layers as well as the interface state density (Dit) in SiO2/Si interface region are critically decreased about 1/3 and one order of magnitude, respectively. The decrease in leakage current density is attributed to improvement of interface properties though chemical method of NAOS with PMA treatment which can perform the oxidation and remove the OH species and dangling bond.
In this study, the surface passivation process for InP-based quantum dots (QDs) is investigated. Surface coating is performed with poly(methylmethacrylate) (PMMA) and thioglycolic acid. The quantum yield (QY) of a PMMA-coated sample slightly increases by approximately 1.3% relative to that of the as-synthesized InP/ZnS QDs. The QYs of the uncoated and PMMA-coated samples drastically decrease after 16 days because of the high defect state density of the InP-based QDs. PMMA does not have a significant effect on the defect passivation. Thioglycolic acid is investigated in this study for the effective surface passivation of InP-based QDs. Surface passivation with thioglycolic acid is more effective than that with the PMMA coating, and the QY increases from 1.7% to 11.3%. ZnS formed on the surface of the InP QDs and S in thioglycolic acid show strong bonding property. Additionally, the QY is further increased up to 21.0% by the photochemical reaction. Electron–hole pairs are formed by light irradiation and lead to strong bonding between the inorganic and thioglycolic acid sulfur. The surface of the InP core QDs, which does not emit light, is passivated by the irradiated light and emits green light after the photochemical reaction.
Hormones play a crucial role in controlling physiological processes, and thus plants grow and develop in response to environmental cues through the interlocked actions of the hormones. Brassinosteroids (BRs) were found as growth-promoting steroid hormones. Rice, as a monocotyledonous model plants and the major staple crop, has been used to study BR action mechanisms. However, many components of BR pathways and the mechanisms of their molecular interactions have yet to be fully understood. Because the use of the BR biosynthetic inhibitor, Brassinazole (Brz), allowed us to identify important components of BR signaling such as the transcription factor BZR1, we decided to employ a similar strategy to identify novel signaling factors using propiconazole (Pcz), a new potent BR inhibitor. We screened a rice T-DNA mutant population which belongs to Dongjin variety and were developed by the Gene An’s group using pGA2715 T-DNA vector. Using Pcz treatments we searched for resistant plants, which were reflected on their lengths of roots and/or leaves. We isolated a total of 17 mutant lines, which are being analyzed phenotypically and at molecular level. So far, we have been able to found various lines presenting high or low yield compared to their wild type counterparts. We have found differences in panicle organization of these mutants. Our current experiments include the confirmation of Pcz resistance of these lines and molecular studies involving BR marker genes to understand the relation among yield and BR action in rice.