CFRP materials are one of the excellent lightweight materials of the next generation. Also, the CFRP materials are attracting materials form the global automotive industry. However, CFRP material is made at a high cost of carbon fiber as raw material, so research of production cost reduction into the development of molding equipment and molding process technology related to mass production for the automotive industry is actively administered. Generally, CFRP is known as a high corrosion-resistant material in which no corrosion occurs. However, the investigation of the relationship with corrosion behavior on the roughness of CFRP's conditions according to is rarely studied. In this paper, the surface roughness has conducted three surface roughness conditions given arbitrarily, and the electrochemical evaluation has performed under the electrolysis conditions of 5 wt.% NaCl, which is the salt-water test condition of vehicle parts in automotive industries. Moreover, the samples were analyzed with changes of microstructures by FE-SEM and chemical composition's variation by EDS before and after electrochemical evaluation.

리튬 덴드라이트의 효과적인 억제를 위해 유/무기 복합체를 리튬메탈 전극의 보호층으로 사용하였다. 유기물로는 PVDF-HFP가 사용되었으며 무기물로는 TiO2가 사용되었다. 유기물로 사용된 PVDF-HFP는 높은 유연성을 가지는 고분자로서 무기물의 matrix 역할을 하며, 무기물로 사용된 TiO2 나노입자는 보호막의 기계적 강도와 이온전도성을 향상시켜주는 역할을 하였다. 합성된 보호막은 SEM, AFM, XRD를 통하여 PVDF-HFP matrix에 TiO2가 잘 분산되어 있는 형태인 것을 확인할 수 있 었다. 또한 전기화학적 분석 결과, 향상된 기계적 물성과 이온전도성으로 인해 polymer-inorganic composite은 비교 샘플(untreated 와 PVDF-HFP 보호층) 대비 100번째 사이클까지 80%의 높은 쿨롱 효율 및 20 mV 미만의 낮은 과전압을 나타내었다.

Surface morphology and optical properties such as transmittance and haze effect of glass etched by physical and chemical etching processes were investigated. The physical etching process was carried out by pen type sandblasting process with 15~20 μm dia. of Al2O3 media; the chemical etching process was conducted using HF-based mixed etchant. Sandblasting was performed in terms of variables such as the distance of 8 cm between the gun nozzle and the glass substrate, the fixed air pressure of 0.5bar, and the constant speed control of the specimen stage. The chemical etching process was conducted with mixed etching solution prepared by combination of BHF (Buffered Hydrofluoric Acid), HCl, and distilled water. The morphology of the glass surface after sandblasting process displayed sharp collision vestiges with nonuniform shapes that could initiate fractures. The haze values of the sandblasted glass were quantitatively acceptable. However, based on visual observation, the desirable Anti-Glare effect was not achieved. On the other hand, irregularly shaped and sharp vestiges transformed into enlarged and smooth micro-spherical craters with the subsequent chemical etching process. The curvature of the spherical crater increased distinctly by 60 minutes and decreased gradually with increasing etching time. Further, the spherical craters with reduced curvature were uniformly distributed over the etched glass surface. The haze value increased sharply up to 55 % and the transmittance decreased by 90 % at 60 minutes of etching time. The ideal haze value range of 3~7 % and transmittance value range of above 90 % were achieved in the period of 240 to 720 minutes of etching time for the selected concentration of the chemical etchant.

Physical and chemical changes in a polished wafer and in 2.5μm & 4μm epitaxially grown Si layer wafers (Epilayer wafer) after surface treatment were investigated. We characterized the influence of surface treatment on wafer properties such as surface roughness and the chemical composition and bonds. After each surface treatment, the physical change of the wafer surface was evaluated by atomic force microscopy to confirm the surface morphology and roughness. In addition, chemical changes in the wafer surface were studied by X-ray photoemission spectroscopy measurement. Changes in the chemical composition were confirmed before and after the surface treatment. By combined analysis of the physical and chemical changes, we found that diluted hydrofluoric acid treatment is more effective than buffered oxide etching for SiO2 removal in both polished and Epi-Layer wafers; however, the etch rate and the surface roughness in the given treatment are different among the polished 2.5μm and 4μm Epi-layer wafers in spite of the identical bulk structural properties of these wafers. This study therefore suggests that independent surface treatment optimization is required for each wafer type, 2.5μm and 4μm, due to the meaningful differences in the initial surface chemical and physical properties.

목적: 플라즈마 표면처리가 불화규소 아크릴레이트 재질의 RGP 콘택트렌즈의 물리화학적 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 방법: RGP 렌즈 표면의 플라즈마 처리는 공기 중 상온에서 200 W로 수행하였으며, 처리시간은 0∼250초로 다르게 하였다. 습윤성을 평가하기 위해 접촉각을 측정하였다. 표면 성분은 X-선광전자분광분석기(XPS)로 관찰하고, 플라즈마 처리에 의한 실리케이트의 형성을 분석하였다. 표면의 형상과 거칠기는 원자현미경(AFM)으로 관찰하였다. 산소침투성의 변화는 전기분해 분석법으로 얻은 렌즈의 투과 전류값과 중심두께를 측정하여 비교하였다. 결과: 플라즈마로 표면 처리되면 초기에 접촉각이 급격히 감소하였으며, 처리되지 않은 표면에 비해 30%까지 감소하였다. 표면 성분의 탄소와 불소는 70% 이하로 감소했으나, 산소와 실리콘은 150% 이상 증가하였다. 표면에서 탄소가 감소하는 형태는 접촉각의 변화와 직접적으로 관계가 있었다. 플라즈마 표면처리에 의해 표면의 탄소와 불소는 휘발하고, 유리된 실리콘이 산소와 결합하여 표면에 친수성 실리케이트(SiOx, x=1.5∼2.0)가 형성되며, 실리케이트는 50% 이상 크게 증가하였다. 플라즈마 처리된 표면에서 원형이나 직각형의 돌출부가 관찰되고, 거칠기(RMS)는 40% 이상 증가하였다. 결론: RGP 콘택트렌즈를 공기 중에서 플라즈마 처리하면 표면에 친수성인 실리케이트가 형성되어 습윤성은 개선되지만 산소침투성에는 영향을 주지 않았다. 습윤성의 증가는 표면형상의 변화보다는 실리케이트의 형성이 더 큰 영향을 준 것으로 판단되었다. 또한 플라즈마 처리에 의해 표면에 국한되어 형성된 실리케이트가 열린 구조를 갖고 있어 산소침투성에 유의한 변화가 없었던 것으로 생각된다.

HF-HNO3계의 화학용액에서 실리콘웨이퍼를 식각함으로써 실온에서 자외선 조사에 의해 가시광을 발광하는 다공질실리콘(porous-Si)을 형성하였으며, 이렇게 형성시킨 다공질 실리콘의 발광특성고 표면형상을 각각 photoluminescence(PL)측정과 atomic force microscopy(AFM)를 이용하여 조사하였다. HF:HNO3: H2O=1 : 5 : 10인 용액을 이용하여 다공질실리콘을 형성시킬때 식각시간에 따른 다공질실리콘의 PL강도 및 표면형상의 변화를 관찰한 결과 1-10분의 영역에서 식각시간을 변화시켰을때 식각시간에 따라 표면의 색깔이 변하였으며 5분간 식각시켰을 경우 표면의색깔은 오렌지 색을 가지고 가장 강한 PL 강도를 보였다. 그리고 AFM관측결과 식각시간이 길어짐에 따라 다공질실리콘의 표면형상크기(surface feature size)가 점점 작아져 5분간 식각시킨 시료의 표면형상 크기는 1,5000~2,000Å범위이며, PL강도가 다공질실리콘의 표면형상과 관계가 있음을 알 수 있었다.

수용액 내 캐올리나이트와 할로이사이트의 표면화학 특성을 전위차 적정 실험과 FITEQL3.2 프로그램을 이용하여 연구하였다. 표면복합반응 모델 중 일정용량 모델을 적용하였으며, 표면을 사면체 자리와 팔면체 자리로 나누어 설정한 2 sites - 3 pKa/s 모델은 캐올리나이트와 할로이사이트의 표면화학 특성을 설명하는데 적합하였다. 두 점토광물 표면은 pH 4 이상에서 음전하를 띄며 pH가 높아질수록 양성자 표면 전하 밀도는 낮아진다. 산성 및 중성 영역에선 Si 사리(≡SiO- )가, 염기성 영역에선 Al 자리(≡AlO-)가 양이온을 흡착하는데 중요한 역할을 할 것으로 예상된다. 모델링 결과 캐올리나이트의 경우 pKa2(si) /int, p Kal(Al) /int /, pKa2 (Al)int /는 각각 4.436. 4.564, 및 8.461이며, 할로이사이트의 경우는 각각 7.852, 3.885, 7.084이다. 캐올리나이트의 총 Si 표면자리 농도와 총 Al 표면자리 농도는 0.215와 0.148 mM이며, 할로이사이트의 경우는 0.357과 0.246 mM이다 두 광물 모두 Si 표면자리 밀도 : Al 표면자리 밀도가 1 : 0.69로 비슷하다. 캐올리나이트의 총 표면자리 밀도는 3.774 sites/nm2로 할로이사이트의 2.292 sites/n m2 값보다 약 1.6배정도 높다.다.

충북 영동군 동창광산에서 산출되는 일라이트(illite)광선의 표면화학특성을 전위차 적정 실험과 FITEQL3.2 프로그램을 이용하여 연구하였다. 정량 Xtjs 회절 분석에 의한 일라이트 광석의 광물조석은 석영 46.6% 일라이트 41.6% 카올리나이트(kaolinite) 11.8%이며 N2BET 방법에 의하여 구한 비표면적은 6.52 m2g이다. 전위차 적정 실험결과를 그란(Gran)법을 적용하여 구한 일라이트광석의 영전하점(pHpznpc )은 pH 3.9 총표면 자리 밀도는 21.24 sites/nm2이다. 표면 복합체 모델중 일정 용량 모델을 적용해 일라이트 광석의 표변 특성에 알맞는 모델을 찾아보았다. 일라이트 광석의 표면을 사면체 자리와 팔면체 자리로 나누어 설정한 2sites-3pK as 모델은 변수값이 수렴되지않았으므로 부적절하다고 판단된다. 일라이트 광석의 표면을 하나의 균질한 흡착표면으로 가정해서 설정한 1 site -1 Ka 와 1 site -2 pKa s 모델 사이에는 뚜렷한 차이는 없지만, 1 site -1 pKa 모델의 WSOS/DF 값이 17, 1 site - 2 pKas 모델은 26으로서 앞 모델이 보다 적절하다. 이 결과는 일라이트 광석 표면에서 수소의 해리와 첨가 반응 중 첨가 반응을 무시하여도 표면반응을 설명하는 데 큰 무리가 없음을 시사한다. 가장 적절하다고 판단되는 1 site -1 pKa 모델의 pKa 값은 4.17, specific capacitance는 6F/m2 표면 자리 농도는 1.15×10-3 mol/L 이다.