The first significant modern theatre movement in Korea arose in the early 1920s. Modern Irish drama and its theatre movement has always been a major field of interest for the Korean intellectuals and dramatists who believed that it provided a model for the modern Korean theatre. The importation of Irish drama was systematically conducted by different groups from the Korean intellectuals in the 1920s and 1930s, during which period many of them published articles concerning Irish drama and the Irish theatre movement. A famous Korean writer Hyo-Seok Lee(1907-1942) published an article titled 'A Research about John Millington Synge's Drama' in 1930, a compressed version of his BA degree essay in Monthly Dae-joong-gong-ron(Public Opinion). However, despite of his fame and popularity as a writer and material for academic research, this article has been forgotten and has remained unknown. Majority of Korean scholars concentrate on Lee's novel and essays while comparatively neglecting Lee's interest towards Irish drama. The main areas of discussions are the followings. First, socio-cultural significance of Irish impact on Korean theatre will be discussed. Second, in the context of Irish influence on Korean drama, the main feature of Lee's viewpoint towards Synge will be examined in comparison with other politically oriented Korean essays.

Ta2O5 박막은 실리콘산화막, 실리콘질화막 박막에 비해 유전율은 높으나 누설전류밀도가 높고, 절연파괴강도가 낮아 DRAM의 커패시터용 재료로서 실용화가 되지 못하고 있다. 본 연구에서는 LPCVD법으로 형성시킨 300Å 두께의 Ta2O5 유전체박막에 대해 후속열처리 또는 전극재료를 변화시켜 열악한 전기적 특성의 원인을 규명하고자 하였다. 그 결과 다결정 실리콘 전극의 경우 성막상태의 Ta2O5 박막은 전극에 의한 환원반응에 의해 전기적 특성이 열화됨을 알 수 있었고, 이를 TiN 전극의 사용으로 억제시킬 수 있었다. 다결정 실리콘 전극의 경우 성막상태의 Ta2O5 유전체는 누설정류밀도가 10-1A/cm2, 절연파괴강도가 1.5MV/cm 정도였으며, 800˚C에서 O2열처리를 하면 전기적 특성은 개선되나, 유전율이 낮아진다 TiN 전극을 채용할 경우 누설전류밀도 10-6~10-7A/cm2, 절연파괴강도 7~12MV/cm 로 ONO(Oxide-Nitride-Oxide) 박막과 비슷한 Ta2O5 고유전막을 얻을 수 있었다.

2충의 BPSG를 사용하는 서브마이크론 CMOS DRAM에 있어 전기적 특성에 관한 BPSG flow온도의 영향을 비교하였다. BPSG flow온도를 850˚C/850˚C, 850˚C/900˚C, 900˚C/900˚C의 3가지 다른 조합을 적용하여 문턱전압, 파괴전압, Isolation전압과 더불어 면저항과 접촉 저항을 조사하였다. 900˚C/900˚C flow의 경우 NMOS에서 문턱전압은 0.8μm 미만의 채널길이에서 급격히 감소하나 PMOS 경우는 차이가 없었다. NMOS와 PMOS의 파괴전압은 각각 0.7μm와 0.8μm 이하에서 급격히 감소하였다. 그러나 850˚C/850˚C flow의 경우에는 NMOS와 PMOS모두 문턱전압과 파괴전압은 채널길이 0.7μm까지 감소하지 않았다. Isolation전압은 BPSG flow온도 감소에 따라 증가하였다. 면저항과 접촉 저항은 BPSG flow온도가 900˚C에서 850˚C로 감소됨에 따라 급격히 증가되었다. 이와 같은 결과는 열처리 온도에 따라 dopant의 확산과 활성화에 관련 있는 것으로 생각된다. 접촉 저항 증가에 대한 개선 방법에 대하여 고찰하였다.