Metal/ferroelectric/insulator/semiconductor(MFIS)-Field Effect Transistor을 위한 Pt/YMnO3/Y2O3/Si 구조를 제조하여 MFIS 구조의 특성에 미치는 Y2O3박막의 영향을 고찰하였다. PLD법을 이용하여 p=type Si(111) 기판 위에 증착시킨 Y2O3박막은 증착온도와 관계없이 (111)방향으로의 우선배향성을 갖고 결정화 되었다. 실리콘 위에 바로 MOCVD법에 의해 강유전체 YMnO3박막을 증착시킨 경우 실리콘과의 계면에서 Mn이 부족한 층이 형성되지만 Y2O3가 실리콘과 YMnO3사이에 삽입된 경우는 Y2O3바로 위에서부터 화학양론비에 일치하는 양질의 YMnO3박막을 얻을 수 있었다. 850˚C, 100mtorr의 진공분위기에서 열처리한 YMnO3박막은 Y2O3가 삽입된 경우 memory window 값이 Y2O3가 삽입되지 않은 경우보다 더 큰 값을 보였으며 5V에서 1.3V의 값을 보였다.