Essential macleod program (EMP) was used to optimize the transmittance of the transparent conducting layers in an oxidemetal- oxide structure. For EMP simulation, the optical coefficient of the material was extracted using an ellipsometer. Following the simulation studies, oxide-metal-oxide samples were fabricated experimentally, and their optical and electrical properties were analyzed. Multilayer SiInZnO/Ag/Siinzno (S/A/S) structures were grown on glass substrates using radio frequency (RF) and direct current (DC) sputtering at room temperature. Due to the occurrence of destructive interference at the metal and oxide interface, the S/A/S structure exhibited excellent optical properties. As the thickness of the top and bottom oxide layers was increased, the transmittance spectrum was red-shifted due to partial wave interference at the Ag interface. Change in thickness of the top oxide layer had a greater effect on the transmittance than that of the bottom oxide layer. This was due to the difference in refractive index occurring at each interface. Change in Ag thickness shifted the absorption edge in the short wavelength region. Whereas electrical properties, such as sheet resistance and carrier concentration, were found to be dependent on thickness of the sandwiched metal layer. An excellent figure of merit of 63.20 ×10−3Ω−1 was obtained when the thickness of the Ag layer was 11 nm, and the top and bottom oxide layer thickness were 45 and 60 nm, respectively. These values suggest promising optoelectronic properties and are encouraging for future transparent electrode applications.

DSC와 XRD를 사용하여 Zr/Si 다층박막의 고상반응에 의한 비정질상과 결정상 생성 및 상전이를 확인하고 이를 유효구동력 개념과 유효생성열 개념 및 phase determining factor(PDF)모델을 이용하여 예측한 결과와 비교하였다. Zr/Si 다층박막은 비정질호 반응이 잘 일어났으며 이는 유효구동력 개념으로 예측한 바와 일치하였다. Zr/Si 계에서 생성되는 최초의 결정상은 ZrSi 였으며 유효생성열과 PDF모델로부터 예측된 최초의 결정상은 PDF 모델의 예측 결과와 일치하였다. Zr/Si 다층박막의 원자조성비가 1대 1일경우와 1대 2일 경우의상전이는 ZrSi→ZrSi2로 되었으며 이러한 상전이 과정은 유효생성열 다이아그램으로 해석되었다. ZrSi의 생성기구는 핵생성이 율속임을 규명하였고 ZrSi와 ZrSi2의 생성에 필요한 활성화에너지는 1.64±0.19eV와 2.28±0.36eV이었다.

Co/Si계에서 고상확산에 의하여 비정질상이 생성되는지의 여부를 유효구동력 개념을 이용하여 예측하였으며 유효생성열 개념 및 PDF모델로부터 결정상의 생성과 상전이를 예측하였다. 한편, DSC와 XRD를 이용하여 Co/Si다층박막에서의 비정질상의 생성여부와 결정상의 생성 및 상전이를 확인하여 모델로부터 예측한 결과와 비교하였다. Co/si계에서는 비정질상이 성장하지 않았으며 이는 유효구동력 개념으로부터 예측된 결과와 일치하였다. Co/Si계에서 생성되는 최초의 결정상은 CoSi였으며 유효생성열과 PDF모델로부터 예측된 최초의 결정상은 각각 CO2Si와 CoSi였다. 따라서 Co/Si계에서 생성되는 최초의 결정상은 구조적인 요소를 고려해 PDF모델의 예측결과와 잘 일치하였다. 증착당시 Co와 Si의 조성비가 2대 1일경우와 1대 2일 경우의 상전이는 각각 CoSi → Co2Si와 CoSi → Co2Si → CoSi → CoSi2의 초기단계의 생성기구는 각각 핵생성이 율속이었으며, 이들의 생성에 필요한 활성화에너지는 각각 1.71, 2.34, 2.79eV이었다.