본 논문에서는 모듈화(Module)된 부품을 활용한 탄성받침 성능개선기법에 대하여 소개하였다. 각각의 모듈화된 장치들이 지진 강도 및 이동 변위에 따른 단계별 거동을 함으로써 받침의 성능을 개선하게 된다. 모듈화된 장치들은 초기전단저항 블럭, 완충장치, 변위수용가이드, 낙교방지블럭이 있으며, 탄성받침에 추가적으로 적용되었다. 이 장치는 지진의 규모에 따라 4단계로 거동하며, 1차로 설계변위를 수용하고, 2차, 3차에서는 대규모 지진을 수용하며, 4차로는 대규모의 지진에 대해서 낙교방지가 가능하도록 설계되어 탄 성받침의 용량 제한을 증가시킨다. 본 논문에서는, 개발기술인 PRB 지진격리장치를 유한요소해석을 통해 해석하여 격리장치의 이론적인 거동이 구현되는지와, 대규모 지진에 해당하는 하중을 견딜 수 있는지 확인하였다. 그리고 이를 바탕으로 실험을 통해 성능평가를 진행하여 두 결과의 비교 분석을 통해 PRB 지진격리장치가 탄성받침의 성능을 개선할 수 있는지 검증하였다.

In submicron MOSFET devices, maintaining the ratio between the channel length (L) and thechannel depth (D) at 3:1 or larger is known to be critical in preventing deleterious short-channel effects. Inthis study, n-type SOI-MOSFETs with a channel length of 0.1µm and a Si film thickness (channel depth) of0.033µm (L:D=3:1) were virtually fabricated using a TSUPREM-4 process simulator. To form functioningtransistors on the very thin Si film, a protective layer of 0.08µm-thick surface oxide was deposited prior tothe source/drain ion implantation so as to dampen the speed of the incoming As ions. The p-type boron dopingconcentration of the Si film, in which the device channel is formed, was used as the key variable in the processsimulation. The finished devices were electrically tested with a Medici device simulator. The result showedthat, for a given channel doping concentration of 1.9~2.5×1018cm−3, the threshold voltage was 0.5~0.7V, andthe subthreshold swing was 70~80mV/dec. These value ranges are all fairly reasonable and should form a‘magic region’ in which SOI-MOSFETs run optimally.

본 논문에서는 스마트기기에 적합한 실시간 번개 시뮬레이션을 제시한다. 물리학에 기반을 가지는 Dielectric Breakdown Model을 근사하여 스마트기기 환경에서 실시간 구현이 가능한 번개 경로 결정 알고리즘을 제시하며, 여러 개의 번개를 동시에 그리고 실시간으로 렌더링 할 수 있는 방법을 제시한다. 마지막으로 번개의 경로를 실시간으로 수정할 수 있는 방법을 제시하여 유저와 실시간 상호작용이 가능하게 한다. 본 논문에서 제시한 번개 시뮬레이션은 스마트기기 환경에서 번개가 주 요소인 게임에서 사용이 될 것으로 판단된다.

In this study, the potential of a newly developed simulation toolkit, GATE for the simulation of electronic portal imaging devices (EPID) in radiation therapy was evaluated by characterizing the performance of the metal plate/phosphor screen detector for EPID. We compared the performances of the GATE simulator against MCNP4B code and experimental data obtained with the EPID system in order to validate its use for radiation therapy.