RTCVD법을 이용한 Si(111)기판 위에 3C-SiC(111) 박막의 성장 및 분석

서영훈; 남기석; 황용규; 서은경; 이형재

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RTCVD법을 이용한 Si(111)기판 위에 3C-SiC(111) 박막의 성장 및 분석 KCI 등재 SCOPUS

Growth and Analyses of 3C-SiC(111)Thin Films on Si(111)Substrate Using Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition

서영훈, 남기석, 황용규, 서은경, 이형재

언어KOR
URLhttps://db.koreascholar.com/Article/Detail/295183

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한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

제7권 제6호 (1997.06)
pp.472-478

한국재료학회 (Materials Research Society Of Korea)

초록

TMS(tetramethysilane, Si(CH3)4)를 이용하여 RTCVD(rapid thermal chemical vapor deposition)장치에서 Si(111) 기판 위에 β-SiC(111)를 성장시켰다. 실험변수로는 반응온도, TMS유량, 반응시간, H2유량을 변화시켰으며, XRD, IR, SEM, RBS, TEM등을 이용하여 성장된 박막을 분석하였다. 성장된 박막은 crystallized Si, C또한 Si-H, C-H결합은 관찰할 수 없었으나 다결정이었다. TMS의 유량이 증가함에 따라, 성장온도가 감소함에 따라서 미려한 박막을 성장시킬 수 있었으며, 반응의 활성화에너지는 20kcal/molㆍK이었다.

저자

서영훈 | Seo, Yeong-Hun
남기석 | 남기석
황용규 | 황용규
서은경 | 서은경
이형재 | 이형재

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