저압 화학 증착법으로 증착된 다결정실리콘에 As를 이온주입하여 As농도와 25~105˚C 범위의 측정온도에 따른 비저항의 변화를 조사하였다. 비저항이 최대가 되는 적정 As농도가 존재하였으며 이때 비저항의 온도의존성면에서 활성화에너지 값도 최대를 보였다. Passivation공정후 감소된 비저항이 O2플라즈마 처리와 N2 분위기에서의 열처리에 의하여 회복되는 현상에 대하여 설명한다.