4NH(sub)3+3O2→2N2+6H2O 의 화학반응식을 가지며 O2 및 H2O를 산화제로 하는 NH3/O2산화의 성장모델을 세웠으며, 그 결과 Fick의 제 1 법칙을 기초로 하는 건식 및 습식 산화메카니즘으로 이해되는 Deal-Grove의 산화막 성장모델과 유사한 결과가 도출되었다. 이 성장모델에 의하면 산화제 O2 및 H2O가 상호보완적으로 산화에 영향을 미치므로 산화온도 뿐 아니라 NH3/O2의 유량비도 산화율을 결정한다. rapid thermal processing(RTP)에 의한 산화막 성장실험으로 본 연구에서 제안하는 성장모델을 확인하였으며, NH3분자의 분해에 의해 발생하는 N 원자의 산화막 내부확산을 secondary ion mass spectroscopy(SIMS)로 확인하였으며, Auger electron spectroscopy (AES) 측정결과 N 원자의 존재는 무시할만한 수준이었다.

본 논문에서는 Si(111)에 대한 건식산화와 어닐링에서 결함의 억제 또는 제거에 NH3가 효과적임을 밝혔다. 산화방식은 건식산화(dry O2 oxidation)및 NH3산화(NH3 added in dry O2oxidation)를 택하였고 N2및 NH3N2분위기에서 어닐링 효과를 평가하였다. 건식산화에서는 발생되는 결함이 성장시간에 따라서 길이가 길어지며, NH3산화에서는 결함이 발견되지 않았다. 또한 초기산화를 NH3산화로 하고서 건식산화를 하였을 때 계면에서의 결함을 제거하는 효과가 있다. 건식산화 또는 NH3산화를 한 후 이들 시료에 대하여 7.5% NH3N2분위로 어닐링하면OSF의 게터링(gettering)효과가 있었다. NH3산화방식에서 7.5%NH3N3분위기로 어닐링했을때가 건식산화방식에 비하여 OSF의 길이가 20%정도 감소하였다. OSF의 모양은 pit형으로 (111)면에 대하여 (011)면 쪽으로 게터링이 일어났으며<110>방향으로 식각되는 성질이 있었다.

CdTe 멀티에너지 X선 영상센서와 ROIC를 패키징 하기 위한 flip chip bump bonding, Au wire bonding 및 encapsulation 공정조건을 개발하였으며 성공적으로 모듈화 하였다. 최적 flip chip bonding 공정 조건은 접합온도 CdTe 센서 150℃, ROIC 270℃, 접합압력 24.5N, 접합시간 30s일 때이다. ROIC에 형성된 SnAg bump의 bonding이 용이하도록 CdTe 센서에 비하여 상대적으로 높은 접합온도를 설정하였으며, CdTe센서가 실리콘 센서에 비하여 쉽게 파손되는 것을 고려하여 접합압력을 최소화하였다. 패키징 완료된 CdTe 멀티에너지 X선 모듈의 각각 픽셀들은 단락이나 합선 등의 전기적인 문제점이 없는 것을 X선 3D computed tomography를 통해 확인할 수 있었다. 또한 Flip chip bump bonding후 전단력은 2.45kgf/mm2 로 측정되었으며, 이는 기준치인 2kgf/mm2 이상으로 충분한 접합강도를 가짐을 확인하였다.